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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 14A（Tc） 500W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT14F100S
  仓库库存编号：APT14F100S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 73A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG73N60E-E3
  仓库库存编号：SIHG73N60E-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 58A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH58N20Q
  仓库库存编号：IXFH58N20Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 200V 66A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 66A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH66N20Q
  仓库库存编号：IXFH66N20Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 1500V 3A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 3A（Tc） 250W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH3N150
  仓库库存编号：IXTH3N150-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR16N80P
  仓库库存编号：IXFR16N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 10.5A（Tc） 200W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR18N90P
  仓库库存编号：IXFR18N90P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 200V 120A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 120A（Tc） 714W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK120N20P
  仓库库存编号：IXFK120N20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 150V 150A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 150A（Tc） 714W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK150N15P
  仓库库存编号：IXFK150N15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 100V 170A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 170A（Tc） 715W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK170N10P
  仓库库存编号：IXFK170N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1700V 1A（Tc） 290W（Tc） TO-263
  
  型号：IXTA1N170DHV
  仓库库存编号：IXTA1N170DHV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 250V 100A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT100N25P
  仓库库存编号：IXTT100N25P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 300V 88A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 88A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT88N30P
  仓库库存编号：IXTT88N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 208W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR24N80P
  仓库库存编号：IXFR24N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 200A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK200N10P
  仓库库存编号：IXFK200N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 360A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX360N10T
  仓库库存编号：IXFX360N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 800V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N80A
  仓库库存编号：IXTH6N80A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 26A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT26N50Q
  仓库库存编号：IXFT26N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 26A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT26N50
  仓库库存编号：IXFT26N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 55V 440A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 440A（Tc） 1000W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH440N055T2
  仓库库存编号：IXTH440N055T2-ND
  
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  MOSFET N-CH 800V 18A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 18A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT17F80B
  仓库库存编号：APT17F80B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 500V 22A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 22A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR24N50Q
  仓库库存编号：IXFR24N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR24N50
  仓库库存编号：IXFR24N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 64A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG64N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHG64N65E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 100V 360A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 360A（Tc） 1250W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK360N10T
  仓库库存编号：IXFK360N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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