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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 69A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 69A（Tc） 500W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT69N30P
  仓库库存编号：IXFT69N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH24N50
  仓库库存编号：IXTH24N50-ND
  别名：Q2768977
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 19A（Tc） 156W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR36N50P
  仓库库存编号：IXFR36N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） 166W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR30N60P
  仓库库存编号：IXFR30N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET P-CH 600V 10A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 600V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT10P60
  仓库库存编号：IXTT10P60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 37A（Tc） 520W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT37F50S
  仓库库存编号：APT37F50S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 16A（Tc） 695W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT16N50D2
  仓库库存编号：IXTT16N50D2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA47N60
  仓库库存编号：FCA47N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA47N60_F109
  仓库库存编号：FCA47N60_F109FS-ND
  别名：FCA47N60_F109-ND
  FCA47N60_F109FS
  FCA47N60F109
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 500V 28A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 28A（Tc） 375W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH28N50Q
  仓库库存编号：IXFH28N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 500V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 16A（Tc） 695W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IXTH16N50D2
  仓库库存编号：IXTH16N50D2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 800V 24A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 24A（Tc） 650W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT24N80P
  仓库库存编号：IXFT24N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 1000V ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR15N100P
  仓库库存编号：IXFR15N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 600V 50A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） 660W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT50N60X
  仓库库存编号：IXFT50N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 150V 70A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 70A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT70N15
  仓库库存编号：IXFT70N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N90A
  仓库库存编号：IXTH6N90A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 250V 100A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK100N25P
  仓库库存编号：IXTK100N25P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 200V 120A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 120A（Tc） 714W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK120N20P
  仓库库存编号：IXTK120N20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 150V 150A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 150A（Tc） 714W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK150N15P
  仓库库存编号：IXTK150N15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 300V 88A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 88A（Tc） 600W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK88N30P
  仓库库存编号：IXTK88N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 6A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N120
  仓库库存编号：IXTH6N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 6A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT6N120
  仓库库存编号：IXTT6N120-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 60A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH60N25
  仓库库存编号：IXTH60N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 35A（Ta） 270W（Tc） TO-247
  
  型号：TK35N65W5,S1F
  仓库库存编号：TK35N65W5S1F-ND
  别名：TK35N65W5,S1F(S
  TK35N65W5,S1F-ND
  TK35N65W5S1F
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 20A（Tc） 660W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH20N100P
  仓库库存编号：IXFH20N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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