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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT14M100B
  仓库库存编号：APT14M100B-ND
  别名：APT14M100BMP
  APT14M100BMP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET P-CH 100V 50A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 50A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT50P10
  仓库库存编号：IXTT50P10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 11A（Tc） 166W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR20N80P
  仓库库存编号：IXFR20N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） TO-247AD（IXKH）
  
  型号：IXKH35N60C5
  仓库库存编号：IXKH35N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 300V 69A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 69A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH69N30P
  仓库库存编号：IXFH69N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 44A（Tc） 658W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ44N50P
  仓库库存编号：IXTQ44N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK31J60W5,S1VQ
  仓库库存编号：TK31J60W5S1VQ-ND
  别名：TK31J60W5,S1VQ(O
  TK31J60W5S1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 150V 75A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 75A（Tc） 330W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH75N15
  仓库库存编号：IXTH75N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） 280W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH21N50Q
  仓库库存编号：IXFH21N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET P-CH 200V 24A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 24A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT24P20
  仓库库存编号：IXTT24P20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT14F100B
  仓库库存编号：APT14F100B-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 35A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXKP35N60C5
  仓库库存编号：IXKP35N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 100V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 16A（Tc） 830W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH16N10D2
  仓库库存编号：IXTH16N10D2-ND
  
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  MOSFET N-CH 1500V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 6A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N150
  仓库库存编号：IXTH6N150-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 40V 420A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 420A（Tc） 935W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH420N04T2
  仓库库存编号：IXTH420N04T2-ND
  
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  MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOTO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 2.5A（Tc） 110W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTJ4N150
  仓库库存编号：IXTJ4N150-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 36A（Tc） 540W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT36N50P
  仓库库存编号：IXTT36N50P-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 30A（Tc） 540W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT30N60P
  仓库库存编号：IXTT30N60P-ND
  
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  MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 6A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH6N120
  仓库库存编号：IXFH6N120-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 21A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 21A（Tc） 280W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT21N50Q
  仓库库存编号：IXFT21N50Q-ND
  
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  MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ100N25P
  仓库库存编号：IXTQ100N25P-ND
  
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  MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 120A（Tc） 714W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ120N20P
  仓库库存编号：IXTQ120N20P-ND
  
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  MOSFET N-CH 150V 150A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 150A（Tc） 714W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ150N15P
  仓库库存编号：IXTQ150N15P-ND
  
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  MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N90
  仓库库存编号：IXTH6N90-ND
  
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  MOSFET N-CH 100V 170A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 170A（Tc） 715W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK170N10P
  仓库库存编号：IXTK170N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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