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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 25A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 150W（Ta） TO-3P
  
  型号：RJK5015DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK5015DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ120N15P
  仓库库存编号：IXTQ120N15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ140N10P
  仓库库存编号：IXTQ140N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 250V 82A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 82A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ82N25P
  仓库库存编号：IXTQ82N25P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 200V 96A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ96N20P
  仓库库存编号：IXTQ96N20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV120N15T
  仓库库存编号：IXTV120N15T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 300V 60A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV60N30T
  仓库库存编号：IXTV60N30T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 625W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV96N25T
  仓库库存编号：IXTV96N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 200V 98A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV98N20T
  仓库库存编号：IXTV98N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 320W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXFA18N60X
  仓库库存编号：IXFA18N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 102A（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV102N25T
  仓库库存编号：IXTV102N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV130N15T
  仓库库存编号：IXTV130N15T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 300V 72A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 72A（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV72N30T
  仓库库存编号：IXTV72N30T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET P-CH 85V 50A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT50P085
  仓库库存编号：IXTT50P085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 80A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Ta） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK1001DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK1001DPP-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT26N50P
  仓库库存编号：IXTT26N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 463W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH12N100P
  仓库库存编号：IXFH12N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ30N50P
  仓库库存编号：IXTQ30N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ26N60P
  仓库库存编号：IXTQ26N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 480W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT110N10P
  仓库库存编号：IXTT110N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV16N80P
  仓库库存编号：IXFV16N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 800V 14A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT14N80P
  仓库库存编号：IXFT14N80P-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 25A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R125CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI60R125CPXKSA1-ND
  别名：IPI60R125CP
  IPI60R125CP-ND
  SP000297355
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 53A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 520W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK53S60L
  仓库库存编号：AOK53S60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 520W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK53S60
  仓库库存编号：AOK53S60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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