以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA100N04T2
  仓库库存编号：IXTA100N04T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 70A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA70N075T2
  仓库库存编号：IXTA70N075T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 90A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA90N055T2
  仓库库存编号：IXTA90N055T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP120N04T2
  仓库库存编号：IXTP120N04T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 254W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8860
  仓库库存编号：FDB8860CT-ND
  别名：FDB8860CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 220A（Tc） 283W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP5860NG
  仓库库存编号：NTP5860NG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 179W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB18N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHB18N60E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 120A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM120N04-1M9_GE3
  仓库库存编号：SQM120N04-1M9_GE3-ND
  别名：SQM120N04-1M9-GE3
  SQM120N04-1M9-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
  
  型号：SQM200N04-1M7L_GE3
  仓库库存编号：SQM200N04-1M7L_GE3-ND
  别名：SQM200N04-1M7L-GE3
  SQM200N04-1M7L-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 75V 21.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 21.5A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），500W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT270AL
  仓库库存编号：AOT270AL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 20A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），210A（Tc） 1.06W（Ta），104W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4933NT3G
  仓库库存编号：NTMFS4933NT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 277.8W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP17N60D-E3
  仓库库存编号：SIHP17N60D-E3-ND
  别名：SIHP17N60DE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 277.8W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP17N60D-GE3
  仓库库存编号：SIHP17N60D-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 20.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.5A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT280L
  仓库库存编号：AOT280L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN3R3-80ES,127
  仓库库存编号：1727-6502-ND
  别名：1727-6502
  568-8598-5
  568-8598-5-ND
  934066133127
  PSMN3R380ES127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 120V 72A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 72A（Ta） 255W（Tc） TO-220-3
  
  型号：TK72E12N1,S1X
  仓库库存编号：TK72E12N1S1X-ND
  别名：TK72E12N1,S1X(S
  TK72E12N1S1X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.6A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF190N65FL1
  仓库库存编号：FCPF190N65FL1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z34STRRPBF
  仓库库存编号：IRF9Z34STRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 191A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），191A（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4833NAT1G
  仓库库存编号：NTMFS4833NAT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 230W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM110P06-8M9L_GE3
  仓库库存编号：SQM110P06-8M9L_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 230W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM120N06-06_GE3
  仓库库存编号：SQM120N06-06_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：通孔 P 沟道 100A（Tc） 187W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SQP100P06-9M3L_GE3
  仓库库存编号：SQP100P06-9M3L_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 175W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SQP120N06-06_GE3
  仓库库存编号：SQP120N06-06_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SQP120N10-09_GE3
  仓库库存编号：SQP120N10-09_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：2SK3566(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：2SK3566(STA4QM)-ND
  别名：2SK3566(Q)
  2SK3566(STA4QM)
  2SK3566Q
  2SK3566Q-ND
  2SK3566STA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 无铅
• 搜索