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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 28W（Tc）
  
  型号：AOWF20S60
  仓库库存编号：AOWF20S60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 105A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 14.5A（Ta），105A（Tc） 2.1W（Ta），300W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT292L
  仓库库存编号：785-1636-5-ND
  别名：785-1636-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 103W（Tc） TO-220
  
  型号：TK46E08N1,S1X
  仓库库存编号：TK46E08N1S1X-ND
  别名：TK46E08N1,S1X(S
  TK46E08N1S1X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P06-15L-T4-E3
  仓库库存编号：SUD50P06-15L-T4-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 900V TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Ta） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：2SK2943
  仓库库存编号：2SK2943-ND
  别名：2SK2943 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 75V 60A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60A 128W TO-220-3
  
  型号：TK60E08K3,S1X(S
  仓库库存编号：TK60E08K3S1X(S-ND
  别名：TK60E08K3S1X(S
  TK60E08K3S1XS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 195W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK5N100L
  仓库库存编号：785-1425-5-ND
  别名：785-1425-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 195W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK5N100
  仓库库存编号：AOK5N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），235A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C612NLT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C612NLT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），250A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C612NLAFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C612NLAFT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 312A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta）, 330A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C410NLTT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C410NLTT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PT8 N 30/20 IN POWERCLIP 56 SING
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：FDMS8050
  仓库库存编号：FDMS8050-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA12N50P
  仓库库存编号：IXTA12N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 18A 5DFB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Ta），18A（Tc） 8.3W（Ta），278W（Tc） 4-DFN-EP（8x8）
  
  型号：AOV20S60
  仓库库存编号：785-1685-1-ND
  别名：785-1685-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 46A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK46A08N1,S4X
  仓库库存编号：TK46A08N1S4X-ND
  别名：TK46A08N1,S4X(S
  TK46A08N1,S4X-ND
  TK46A08N1S4X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 21W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R600P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R600P7XKSA1-ND
  别名：SP001618084
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 7.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A55DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK8A55DA(STA4QM)-ND
  别名：TK8A55DA(STA4QM)
  TK8A55DASTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 70A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 1.8W（Ta），120W（Tc） TO-263
  
  型号：NP70N10KUF-E1-AY
  仓库库存编号：NP70N10KUF-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 640mA（Tj） 740mW（Tc） TO-92-3
  
  型号：VP2206N3-G-P003
  仓库库存编号：VP2206N3-G-P003-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 45W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF20C60PL
  仓库库存编号：785-1716-5-ND
  别名：785-1716-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PTNG 100V/20V NCH POWER TRENCH M
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS10C4D2N
  仓库库存编号：FDMS10C4D2N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ48RPBF
  仓库库存编号：IRFZ48RPBF-ND
  别名：*IRFZ48RPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Tc） 165W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB12N50FTM_WS
  仓库库存编号：FDB12N50FTM_WSCT-ND
  别名：FDB12N50FTM_WSCT
  
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 113W（Tc） TO-251
  
  型号：DMJ70H600SH3
  仓库库存编号：DMJ70H600SH3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 120V 42A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK42A12N1,S4X
  仓库库存编号：TK42A12N1S4X-ND
  别名：TK42A12N1,S4X(S
  TK42A12N1,S4X-ND
  TK42A12N1S4X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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