产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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分立半导体产品
分立半导体产品
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 40A 5LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Ta) 25W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2171H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2171H-EL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 250V TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Ta) 35W(Tc) TO-220F
型号:
2SK3004
仓库库存编号:
2SK3004-ND
别名:2SK3004 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 76A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC110N15NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC110N15NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC110N15NS5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 15A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY15N20T
仓库库存编号:
IXTY15N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 4A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 89W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA4N60P
仓库库存编号:
IXTA4N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3.6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP4N80P
仓库库存编号:
IXTP4N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 24A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY24N15T
仓库库存编号:
IXTY24N15T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK12A60D(STA4QM)-ND
别名:TK12A60D(STA4QM)
TK12A60DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 44A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Ta),124A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86181
仓库库存编号:
FDMS86181CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7342DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7342DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Tc) 33W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY02N120P
仓库库存编号:
IXTY02N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A ATPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 90W(Tc) ATPAK
型号:
ATP401-TL-H
仓库库存编号:
ATP401-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 20A TO263
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 463W(Tc) TO-220
型号:
AOT20C60
仓库库存编号:
AOT20C60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 20A TO263
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 463W(Tc) TO-220
型号:
AOT20C60L
仓库库存编号:
AOT20C60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 250W(Tc) TO-220
型号:
AOT12N50
仓库库存编号:
785-1240-5-ND
别名:785-1240-5
AOT12N50-ND
Q5225971
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 7.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 7.5A(Tc) TO-220SIS
型号:
TK8A45DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK8A45DA(STA4QM)-ND
别名:TK8A45DA(STA4QM)
TK8A45DASTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 30W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2173H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2173H-EL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 15A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 208W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB15S65L
仓库库存编号:
785-1543-1-ND
别名:785-1543-1
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 400V 0.086A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 86mA(Tj) 740mW(Ta) 8-SOIC
型号:
TP2640LG-G
仓库库存编号:
TP2640LG-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 41A DFN5
详细描述:表面贴装 N 沟道 41A(Ta),270A(Tc) 3.2W(Ta), 140W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5H409NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5H409NLT1GOSCT-ND
别名:NTMFS5H409NLT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 19A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD19N20-90-T4-E3
仓库库存编号:
SUD19N20-90-T4-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Sanken
MOSFET N-CH 450V TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta) 35W(Tc) TO-220F
型号:
2SK2701A
仓库库存编号:
2SK2701A-ND
别名:2SK2701A DK
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 272W(Tc) TO-220-5
型号:
BUK7905-40AI,127
仓库库存编号:
BUK7905-40AI,127-ND
别名:934058078127
BUK7905-40AI
BUK7905-40AI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 272W(Tc) TO-220-5
型号:
BUK7905-40ATE,127
仓库库存编号:
BUK7905-40ATE,127-ND
别名:934057946127
BUK7905-40ATE
BUK7905-40ATE-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK6012DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK6012DPE-00#J3-ND
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