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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 210W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMNH6008SCT
  仓库库存编号：DMNH6008SCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 40V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.8W（Ta），125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMTH4005SCT
  仓库库存编号：DMTH4005SCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 39W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF190N60_F152
  仓库库存编号：FCPF190N60_F152-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7788DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7788DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7788DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4390DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4390DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4390DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4390DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta） 3.8W（Ta），158W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5830NLT1G
  仓库库存编号：NVMFS5830NLT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP5N60P
  仓库库存编号：IXTP5N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 3.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.2A（Tc） 38W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP5N50PM
  仓库库存编号：IXFP5N50PM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 651V 800V ITO-220A
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 41W（Tc） ITO-220AB
  
  型号：DMN80H2D0SCTI
  仓库库存编号：DMN80H2D0SCTI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 147W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP12N60E-E3
  仓库库存编号：SIHP12N60E-E3-ND
  别名：SIHP12N60EE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN7R8-120ESQ
  仓库库存编号：1727-1509-ND
  别名：1727-1509
  568-10989-5
  568-10989-5-ND
  934067449127
  PSMN7R8-120ESQ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK5A60D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK5A60D(STA4QM)-ND
  别名：TK5A60D(STA4QM)
  TK5A60DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 25W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2279H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2279H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2160H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2160H-EL-E-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.4A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7302DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7302DN-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 75W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：H5N2522LSTL-E
  仓库库存编号：H5N2522LSTL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4.8A（Tc） 89W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP5N50P
  仓库库存编号：IXTP5N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBC20GPBF
  仓库库存编号：IRFIBC20GPBF-ND
  别名：*IRFIBC20GPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD214
  仓库库存编号：IRFD214-ND
  别名：*IRFD214
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 1.1A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9010
  仓库库存编号：IRFD9010-ND
  别名：*IRFD9010
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRLU014
  仓库库存编号：IRLU014-ND
  别名：*IRLU014
  
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  MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
  
  型号：SIE822DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE822DF-T1-E3TR-ND
  别名：SIE822DF-T1-E3TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7194DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7194DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7194DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4890DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4890DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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