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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM50N04-4M0L_GE3
  仓库库存编号：SQM50N04-4M0L_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM50P04-09L_GE3
  仓库库存编号：SQM50P04-09L_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM50P06-15L_GE3
  仓库库存编号：SQM50P06-15L_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM50P08-25L_GE3
  仓库库存编号：SQM50P08-25L_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SQP50N06-09L_GE3
  仓库库存编号：SQP50N06-09L_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 15A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 28W（Tc）
  
  型号：AOWF15S65
  仓库库存编号：785-1529-5-ND
  别名：AOWF15S65-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.1A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF634STRRPBF
  仓库库存编号：IRF634STRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9520STRLPBF
  仓库库存编号：IRF9520STRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9520STRRPBF
  仓库库存编号：IRF9520STRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） D2PAK
  
  型号：TK20G60W,RVQ
  仓库库存编号：TK20G60WRVQCT-ND
  别名：TK20G60WRVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 21W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAW60R600P7SXKSA1
  仓库库存编号：IPAW60R600P7SXKSA1-ND
  别名：SP001618082
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 150V WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 65W（Tc） WPAK（3F）（5x6）
  
  型号：RJK1575DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK1575DPA-00#J5A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 150V WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 65W（Tc） WPAK（3F）（5x6）
  
  型号：RJK1576DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK1576DPA-00#J5A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2165H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2165H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP3N60P
  仓库库存编号：IXTP3N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK3A65DA(STA4,QM)
  仓库库存编号：TK3A65DA(STA4QM)-ND
  别名：TK3A65DA(STA4QM)
  TK3A65DASTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 64A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.3A（Ta），64A（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4965NFTAG
  仓库库存编号：NTTFS4965NFTAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），77W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS6B14NT1G
  仓库库存编号：NTMFS6B14NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS6B14NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z24STRLPBF
  仓库库存编号：IRF9Z24STRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z24STRRPBF
  仓库库存编号：IRF9Z24STRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 54mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VP0550N3-G-P013
  仓库库存编号：VP0550N3-G-P013-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4451DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4451DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4451DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4451DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200A（Ta） 250W（Ta） TO-220-3
  
  型号：CSD18510KCS
  仓库库存编号：CSD18510KCS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  含铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA4N80P
  仓库库存编号：IXTA4N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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