产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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分立半导体产品
分立半导体产品
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Ta) TO-220-3
型号:
TK18E10K3,S1X(S
仓库库存编号:
TK18E10K3S1X(S-ND
别名:TK18E10K3S1X(S
TK18E10K3S1XS
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),180A(Tc) 1.9W(Ta),333W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB480L
仓库库存编号:
785-1213-1-ND
别名:785-1213-1
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 208W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB15S60L
仓库库存编号:
785-1261-2-ND
别名:785-1261-2
AOB15S60
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PWR MOS ULTRAFET 100V/53A/0.025
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Tc) 200W(Tc) TO-220-3
型号:
HUF75639P3_F102
仓库库存编号:
HUF75639P3_F102-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 20A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta),140A(Tc) 2.1W(Ta),333W(Tc) TO-220
型号:
AOT262L
仓库库存编号:
785-1413-5-ND
别名:785-1413-5
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 40W(Tc) LPTS
型号:
R5007ANJTL
仓库库存编号:
R5007ANJTL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 82A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 82A(Tc) 1.8W(Ta),143W(Tc) TO-263
型号:
NP82N055PUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP82N055PUG-E1-AYTR-ND
别名:NP82N055PUG-E1-AY-ND
NP82N055PUG-E1-AYTR
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 417W(Tc) TO-220
型号:
AOT20N60L
仓库库存编号:
785-1512-5-ND
别名:AOT20N60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 33W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF12N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHF12N65E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 70W(Tc) TO-251
型号:
IXTU2N80P
仓库库存编号:
IXTU2N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 4A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 114W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA4N60P3
仓库库存编号:
IXFA4N60P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Tc) 33W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP02N120P
仓库库存编号:
IXTP02N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 100mA(Tc) 1.1W(Ta),25W(Tc) TO-251
型号:
IXTU01N100D
仓库库存编号:
IXTU01N100D-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Tc) 1.1W(Ta),25W(Tc) TO-251
型号:
IXTU02N50D
仓库库存编号:
IXTU02N50D-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 5.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A55DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK6A55DA(STA4QM)-ND
别名:TK6A55DA(STA4QM)
TK6A55DASTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRL620STRLPBF
仓库库存编号:
IRL620STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 178W(Tc) TO-220AB
型号:
DMG10N60SCT
仓库库存编号:
DMG10N60SCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 6A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A53D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK6A53D(STA4QM)-ND
别名:TK6A53D(STA4QM)
TK6A53DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 7A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK7A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK7A50D(STA4QM)-ND
别名:TK7A50D(STA4QM)
TK7A50DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 120V 56A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Ta) 168W(Tc) TO-220
型号:
TK56E12N1,S1X
仓库库存编号:
TK56E12N1S1X-ND
别名:TK56E12N1,S1X(S
TK56E12N1S1X
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Ta),319A(Tc) 3.84W(Ta), 161W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS4C01NWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS4C01NWFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 400V 20A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF20N40L
仓库库存编号:
785-1432-5-ND
别名:785-1432-5
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4456DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4456DY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 47A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 136W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM47N10-24L_GE3
仓库库存编号:
SQM47N10-24L_GE3-ND
别名:SQM47N10-24L-GE3
SQM47N10-24L-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 P 沟道 40A(Tc) 150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM40P10-40L_GE3
仓库库存编号:
SQM40P10-40L_GE3-ND
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