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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 107W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SQP25N15-52_GE3
  仓库库存编号：SQP25N15-52_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：通孔 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SQP50P03-07_GE3
  仓库库存编号：SQP50P03-07_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMG8N65SCT
  仓库库存编号：DMG8N65SCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 37.1A（Tc） 8.3W（Ta），136W（Tc） TO-252
  
  型号：SUD50P10-43L-GE3
  仓库库存编号：SUD50P10-43L-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），319A（Tc） 3.84W（Ta）, 161W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS4C01NT1G
  仓库库存编号：NVMFS4C01NT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4632DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4632DY-T1-E3TR-ND
  别名：SI4632DY-T1-E3TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4413ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4413ADY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4423DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4423DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4632DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4632DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7390DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7390DP-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7390DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7390DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 114W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD60N360U1-1G
  仓库库存编号：NDD60N360U1-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 114W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD60N360U1-35G
  仓库库存编号：NDD60N360U1-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 3A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Ta） 40.3W（Tc） TO-251
  
  型号：RJK6032DPH-E0#T2
  仓库库存编号：RJK6032DPH-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 2A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK2A65D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK2A65D(STA4QM)-ND
  别名：TK2A65D(STA4QM)
  TK2A65DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta），94W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B14NWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS6B14NWFT1G-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 22A（Tc） 3.75W（Ta），125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB22P10TM_F085
  仓库库存编号：FQB22P10TM_F085CT-ND
  别名：FQB22P10TM_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN005-75B,118
  仓库库存编号：1727-4769-1-ND
  别名：1727-4769-1
  568-5947-1
  568-5947-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN009-100P,127
  仓库库存编号：1727-4653-ND
  别名：1727-4653
  568-5770
  568-5770-5
  568-5770-5-ND
  568-5770-ND
  934057044127
  PSMN009-100P
  PSMN009-100P,127-ND
  PSMN009-100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 120V 70A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN7R8-120PSQ
  仓库库存编号：1727-1816-ND
  别名：1727-1816
  568-11431-5
  568-11431-5-ND
  934067448127
  PSMN7R8-120PSQ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Ta），65A（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4965NFT3G
  仓库库存编号：NTMFS4965NFT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 147W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB12N60ET1-GE3
  仓库库存编号：SIHB12N60ET1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 147W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB12N60ET5-GE3
  仓库库存编号：SIHB12N60ET5-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 70W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY3N60P
  仓库库存编号：IXTY3N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 100W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA6N50P
  仓库库存编号：IXTA6N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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