产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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分立半导体产品
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.8W（Ta）, 128W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C426NT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C426NT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 41A（Ta）, 235A（Tc） 3.8W（Ta）, 128W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C426NAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C426NAFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 18A（Tc） 72W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R180P7SAUMA1
仓库库存编号：
IPD60R180P7SAUMA1CT-ND
别名：IPD60R180P7SAUMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 114A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 114W（Tc） DPAK-3
型号：
NDD60N360U1T4G
仓库库存编号：
NDD60N360U1T4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 365MA SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 350V 365mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
TN2435N8-G
仓库库存编号：
TN2435N8-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 400V 175mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
型号：
TN2540N3-G-P002
仓库库存编号：
TN2540N3-G-P002-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-251
型号：
SIHU7N60E-E3
仓库库存编号：
SIHU7N60E-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 7A TO251A
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 178W（Tc） TO-251A
型号：
AOI7N65
仓库库存编号：
785-1453-5-ND
别名：785-1453-5
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 800V 2.5A（Tc） 22W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU80R2K4P7AKMA1
仓库库存编号：
IPU80R2K4P7AKMA1-ND
别名：SP001644612
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 800V 2.5A（Tc） 22W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS80R2K4P7AKMA1
仓库库存编号：
IPS80R2K4P7AKMA1-ND
别名：SP001644624
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP6N60C
仓库库存编号：
FQP6N60C-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ24SPBF
仓库库存编号：
IRLZ24SPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.8W（Ta）, 106W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C430NT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C430NT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 35A（Ta），185A（Tc） 3.8W（Ta）, 106W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C430NAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C430NAFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 15V 2.3A（Ta） 791mW（Ta） 8-SOIC
型号：
TPS1101DR
仓库库存编号：
TPS1101DR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 15V 2.3A（Ta） 791mW（Ta） 8-SOIC
型号：
TPS1101DRG4
仓库库存编号：
TPS1101DRG4-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.8W（Ta），110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C430NLWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C430NLWFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 38A（Ta），200A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C430NLWFAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C430NLWFAFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.6A（Ta） 3.2W（Ta），70W（Tc） TO-252
型号：
FDD2670
仓库库存编号：
FDD2670CT-ND
别名：FDD2670CT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 20.5A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO
型号：
SI4124DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4124DY-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4874BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4874BDY-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7840BDP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7840BDP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ14STRLPBF
仓库库存编号：
IRFZ14STRLPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 24A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 24A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），156W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6292
仓库库存编号：
AON6292-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） TO-262-3
型号：
IRF720LPBF
仓库库存编号：
IRF720LPBF-ND
别名：*IRF720LPBF
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