以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4368DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4368DY-T1-E3TR-ND
  别名：SI4368DY-T1-E3TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF9Z14LPBF
  仓库库存编号：IRF9Z14LPBF-ND
  别名：*IRF9Z14LPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 130A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 130A（Ta） 1.5W（Ta），83W（Tc） 8-HVSON（5.4x5.15）
  
  型号：UPA2764T1A-E2-AY
  仓库库存编号：UPA2764T1A-E2-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFBC30ALPBF
  仓库库存编号：IRFBC30ALPBF-ND
  别名：*IRFBC30ALPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C628NLT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C628NLT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 28A（Ta），150A（Tc） 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C628NLAFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C628NLAFT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 5A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 5A（Ta） 30W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RCX050N25
  仓库库存编号：RCX050N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 26A（Tc） 68W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：NDB5060L
  仓库库存编号：NDB5060LCT-ND
  别名：NDB5060LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Ta） 1.5W（Ta），156W（Tc） TO-262
  
  型号：N0603N-S23-AY
  仓库库存编号：N0603N-S23-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 278W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB12N60FDL
  仓库库存编号：785-1617-1-ND
  别名：785-1617-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 50A（Tc） 1.2W（Ta），84W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP50P04SDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP50P04SDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP50P04SDG-E1-AYCT
  NP50P04SDGE1AY
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 75A（Tc） 1W（Ta），138W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP75P03YDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP75P03YDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP75P03YDG-E1-AYCT
  NP75P03YDGE1AY
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 9.9A（Tc） 42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9020TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR9020TRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.8W（Ta），110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C430NLT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C430NLT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 38A（Ta），200A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C430NLAFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C430NLAFT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 28A 8SOP-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta） 1.6W（Ta），42W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8062-H,LQ(CM
  仓库库存编号：TPCA8062-HLQ(CM-ND
  别名：TPCA8062-HLQ(CM
  TPCA8062HLQCM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10.2A（Tc） 31W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF380N60
  仓库库存编号：FCPF380N60FS-ND
  别名：FCPF380N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 4.4A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF624PBF
  仓库库存编号：IRF624PBF-ND
  别名：*IRF624PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Ta） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK7P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK7P60WRVQCT-ND
  别名：TK7P60WRVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 80A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK80S04K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK80S04K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK80S04K3L(T6L1NQ
  TK80S04K3LT6L1NQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK80S06K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK80S06K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK80S06K3L(T6L1NQ
  TK80S06K3LT6L1NQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9024TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR9024TRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9024TRRPBF
  仓库库存编号：IRFR9024TRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 75A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN009-100B,118
  仓库库存编号：1727-5268-1-ND
  别名：1727-5268-1
  568-6593-1
  568-6593-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK969R3-100E,118
  仓库库存编号：1727-1064-1-ND
  别名：1727-1064-1
  568-10174-1
  568-10174-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  不受无铅要求限制
• 搜索