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• Sanken
  MOSFET N-CH 40V 85A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI04024
  仓库库存编号：SKI04024CT-ND
  别名：SKI04024CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 60V 85A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI06048
  仓库库存编号：SKI06048CT-ND
  别名：SKI06048CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 75V 85A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI07074
  仓库库存编号：SKI07074CT-ND
  别名：SKI07074CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 100V 66A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 66A（Tc） 135W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI10123
  仓库库存编号：SKI10123CT-ND
  别名：SKI10123CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 2.3W PowerDI5060-8
  
  型号：DMT6002LPS-13
  仓库库存编号：DMT6002LPS-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 7A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 25W（Tc）
  
  型号：AOWF7S65
  仓库库存编号：785-1531-5-ND
  别名：AOWF7S65-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 500mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0610N3-G-P003
  仓库库存编号：TN0610N3-G-P003-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 500mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0610N3-G-P013
  仓库库存编号：TN0610N3-G-P013-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 40V 0.89A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 890mA（Tj） 1.6W（Tc） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：TN2504N8-G
  仓库库存编号：TN2504N8-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Ta） 2.6W（Ta）, 138W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMTH6004LPSQ-13
  仓库库存编号：DMTH6004LPSQ-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5.5A（Tc） 158W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N80C
  仓库库存编号：FQP6N80C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 21A（Ta） 3.7W（Ta），127W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5832NLWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5832NLWFT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET NCH 700V 9A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 9A（Tc） 236W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB9N70L
  仓库库存编号：785-1719-1-ND
  别名：785-1719-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5A（Ta） 30W（Tc） TO-220FN
  
  型号：RDN050N20FU6
  仓库库存编号：RDN050N20FU6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA00DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIRA00DP-T1-RE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.3A（Tc） 104W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMG3N60SCT
  仓库库存编号：DMG3N60SCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS130N03FU6TB
  仓库库存编号：RSS130N03FU6TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 234W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK963R1-40E,118
  仓库库存编号：1727-1098-1-ND
  别名：1727-1098-1
  568-10253-1
  568-10253-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7758DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7758DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7758DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 700mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TN0604N3-G-P005
  仓库库存编号：TN0604N3-G-P005-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 700mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TN0604N3-G-P013
  仓库库存编号：TN0604N3-G-P013-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 130A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 130A（Ta） 1.5W（Ta），83W（Tc） 8-HVSON（5.4x5.15）
  
  型号：UPA2766T1A-E1-AY
  仓库库存编号：UPA2766T1A-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 18A（Tc） 6.8W（Tc） 8-SOIC
  
  型号：SQ4425EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4425EY-T1_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 7A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 25W（Tc）
  
  型号：AOWF7S60
  仓库库存编号：AOWF7S60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24.5A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4634DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4634DY-T1-GE3TR-ND
  别名：SI4634DY-T1-GE3TR
  SI4634DYT1GE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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