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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta），46A（Tc） 840mW（Ta），25.5W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4941NTWG
  仓库库存编号：NTTFS4941NTWG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 620V 6A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 620V 6A（Tc） 78W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：SIHU6N62E-GE3
  仓库库存编号：SIHU6N62E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR120TRRPBF
  仓库库存编号：IRLR120TRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 1.47W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4384DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4384DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 10A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 10A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
  
  型号：RCD100N20TL
  仓库库存编号：RCD100N20TL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.6A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL510SPBF
  仓库库存编号：IRL510SPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS075P03FU6TB
  仓库库存编号：RSS075P03FU6TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 250V 2.7A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 250V 2.7A（Tc） 50W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9214PBF
  仓库库存编号：IRFU9214PBF-ND
  别名：*IRFU9214PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR1N60ATRLPBF
  仓库库存编号：IRFR1N60ATRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 63A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 63A（Tc） 7.5W（Ta），65.2W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N03-09P-GE3
  仓库库存编号：SUD50N03-09P-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 12A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 278W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW12N65
  仓库库存编号：AOW12N65-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.7W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C450NLWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C450NLWFT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 23A（Ta） 2.5W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMT6004SPS-13
  仓库库存编号：DMT6004SPS-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 11.8A（Ta） 10.1W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：ZXMN6A09KQTC
  仓库库存编号：ZXMN6A09KQTC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD100N03-3M2L_GE3
  仓库库存编号：SQD100N03-3M2L_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 50A（Tc） 136W（Tc） D-PAK（TO-252）
  
  型号：SQR50N04-3M8_GE3
  仓库库存编号：SQR50N04-3M8_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR800DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR800DP-T1-RE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  CONSUMER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R280P7SAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R280P7SAUMA1CT-ND
  别名：IPD60R280P7SAUMA1CT
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK8A50D(STA4QM)-ND
  别名：TK8A50D(STA4QM)
  TK8A50DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 23A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 23A（Tc） 37W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD23N06-31L_GE3
  仓库库存编号：SQD23N06-31L_GE3-ND
  别名：SQD23N06-31L-GE3
  SQD23N06-31L-GE3-ND
  
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 25V 71A DFN5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 71A（Ta），200A（Tc） 7.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6522
  仓库库存编号：785-1497-1-ND
  别名：785-1497-1
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 71W（Tc） TO-252
  
  型号：SQD50N04-5M6_GE3
  仓库库存编号：SQD50N04-5M6_GE3-ND
  别名：SQD50N04-5M6-GE3
  SQD50N04-5M6-GE3-ND
  
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  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 47A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ848EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ848EP-T1_GE3-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6A（Tc） 45W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R900P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R900P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R900P7ATMA1CT
  
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 90V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90V 10A（Ta），50A（Tc） 4W（Ta），100W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD6820NLT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD6820NLT4G-VF01-ND
  别名：NVD4806NT4G-VF01
  NVD6820NLT4G
  NVD6820NLT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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