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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 10A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 25W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK10S04K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK10S04K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK10S04K3L(T6L1NQ
  TK10S04K3LT6L1NQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 25W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK8S06K3L(T6L1,NQ)
  仓库库存编号：TK8S06K3L(T6L1NQ)-ND
  别名：TK8S06K3L(T6L1NQ)
  TK8S06K3LT6L1NQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 56.8W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI4S60
  仓库库存编号：AOI4S60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD7N60NZTM
  仓库库存编号：FDD7N60NZTMCT-ND
  别名：FDD7N60NZTMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 8A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 15W（Tc） CPT3
  
  型号：RSD080N06TL
  仓库库存编号：RSD080N06TL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5W（Ta），28W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C468NLWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C468NLWFT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 200mA（Ta） 750mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVP4424ASTZ
  仓库库存编号：ZVP4424ASTZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R1K4CEATMA1
  仓库库存编号：IPD80R1K4CEATMA1CT-ND
  别名：IPD80R1K4CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），28A（Tc） 3.5W（Ta），56W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B75NLT1G
  仓库库存编号：NVMFS6B75NLT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 53A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Ta） 111W（Ta） TO-220AB
  
  型号：PSMN018-100PSFQ
  仓库库存编号：PSMN018-100PSFQ-ND
  别名：934068748127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 53A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Ta） 111W（Ta） I2PAK
  
  型号：PSMN018-100ESFQ
  仓库库存编号：PSMN018-100ESFQ-ND
  别名：934068749127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），28A（Tc） 3.5W（Ta），56W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B75NLWFT3G
  仓库库存编号：NVMFS6B75NLWFT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 400V 3A MP3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 30W（Tc） MP-3A
  
  型号：RJK4002DPD-00#J2
  仓库库存编号：RJK4002DPD-00#J2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 450V 4A MP3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 40.3W（Tc） MP-3A
  
  型号：RJK4532DPD-00#J2
  仓库库存编号：RJK4532DPD-00#J2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 2A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Ta） 30W（Tc） TO-251
  
  型号：RJK6002DPH-E0#T2
  仓库库存编号：RJK6002DPH-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8133,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8133LQ(S-ND
  别名：TPC8133LQ(S
  TPC8133LQS
  
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF5N50FD
  仓库库存编号：AOTF5N50FD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS090P03FU7TB
  仓库库存编号：RSS090P03FU7TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），75A（Tc） 860mW（Ta），43.1W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4937NTWG
  仓库库存编号：NTTFS4937NTWG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 60V 60A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 2W（Ta） TO-252-4L
  
  型号：DMNH6012LK3-13
  仓库库存编号：DMNH6012LK3-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS050P03FU6TB
  仓库库存编号：RSS050P03FU6TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y3R0-40EX
  仓库库存编号：BUK7Y3R0-40EX-ND
  别名：934067429115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 68A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 68A（Tc） 195W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y15-100EX
  仓库库存编号：1727-1484-1-ND
  别名：1727-1484-1
  568-10964-1
  568-10964-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 69A（Tc） 195W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y15-100E,115
  仓库库存编号：1727-1492-1-ND
  别名：1727-1492-1
  568-10972-1
  568-10972-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 75A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ433EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ433EP-T1_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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