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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 8A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 18W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQS420EN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS420EN-T1_GE3-ND
  别名：SQS420EN-T1-GE3
  SQS420EN-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 62W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQS482EN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS482EN-T1_GE3-ND
  别名：SQS482EN-T1-GE3
  SQS482EN-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 70V 3.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Ta） 2.11W（Ta） TO-252
  
  型号：ZXMP7A17KQTC
  仓库库存编号：ZXMP7A17KQTCDI-ND
  别名：ZXMP7A17KQTCDI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3.9W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DMPH3010LK3-13
  仓库库存编号：DMPH3010LK3-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.2W TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DMPH6023SK3-13
  仓库库存编号：DMPH6023SK3-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 62W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQ7414AENW-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ7414AENW-T1_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ464EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ464EP-T1_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8066-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8066-HLQ(S-ND
  别名：TPC8066-HLQ(S
  TPC8066HLQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 230mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVP2110ASTZ
  仓库库存编号：ZVP2110ASTZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta），7.5A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4620DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4620DY-T1-E3TR-ND
  别名：SI4620DY-T1-E3TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2333DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2333DS-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4482
  仓库库存编号：AO4482-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 5.2A 6UDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.4A（Ta） 600mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
  
  型号：NTLUS3A39PZTAG
  仓库库存编号：NTLUS3A39PZTAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.4A（Ta） 600mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
  
  型号：NTLUS3A39PZTBG
  仓库库存编号：NTLUS3A39PZTBG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6.3A UDFN6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Ta） 650mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
  
  型号：NTLUS4930NTAG
  仓库库存编号：NTLUS4930NTAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6.3A UDFN6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Ta） 650mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
  
  型号：NTLUS4930NTBG
  仓库库存编号：NTLUS4930NTBG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 40V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.6W（Ta） TO-252
  
  型号：DMNH4011SK3-13
  仓库库存编号：DMNH4011SK3-13DI-ND
  别名：DMNH4011SK3-13DI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 100V 52.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 52.5A（Ta） 2.1W（Ta） TO-252-4L
  
  型号：DMTH10H015LK3-13
  仓库库存编号：DMTH10H015LK3-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.4A (Ta) 1.8W 8-SO
  
  型号：DMPH4015SSSQ-13
  仓库库存编号：DMPH4015SSSQ-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 27W（Tc） DPAK
  
  型号：TK20P04M1,RQ(S
  仓库库存编号：TK20P04M1RQ(S-ND
  别名：TK20P04M1RQ(S
  TK20P04M1RQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R2K8CEATMA1
  仓库库存编号：IPD80R2K8CEATMA1CT-ND
  别名：IPD80R2K8CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 86A（Tc） 147W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y8R7-60E,115
  仓库库存编号：1727-1128-1-ND
  别名：1727-1128-1
  568-10283-1
  568-10283-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 87A（Tc） 147W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y8R7-60EX
  仓库库存编号：1727-1806-1-ND
  别名：1727-1806-1
  568-11420-1
  568-11420-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.4A（Ta） 780mW（Ta），33W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C35NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4C35NT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 60V 26A TO251A
  详细描述：通孔 P 沟道 26A（Tc） 2.5W（Ta），60W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI409
  仓库库存编号：AOI409-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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