产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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分立半导体产品
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 70A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX700N20
仓库库存编号:
RCX700N20-ND
别名:RCX700N20CT
RCX700N20CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP.,
详细描述:通孔 N 沟道 TO-247-3
型号:
STW8N90K5
仓库库存编号:
497-17085-ND
别名:497-17085
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 800 V, 0.75 OHM TYP.,
详细描述:通孔 N 沟道 TO-247-3
型号:
STW7N90K5
仓库库存编号:
497-17081-ND
别名:497-17081
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R6008FNX
仓库库存编号:
R6008FNX-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 24A
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 190W(Tc) TO-220
型号:
STP33N60DM2
仓库库存编号:
497-16352-5-ND
别名:497-16352-5
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.3A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 11.3A(Tc) 110W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF16N50
仓库库存编号:
FQAF16N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R6012ANX
仓库库存编号:
R6012ANX-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 24A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 120W(Tc) TO-247
型号:
R6024ENZ1C9
仓库库存编号:
R6024ENZ1C9-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta) 120W(Tc) TO-3PF
型号:
R6020ANZC8
仓库库存编号:
R6020ANZC8-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 120W(Tc) TO-3PF
型号:
R6024ENZC8
仓库库存编号:
R6024ENZC8-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 219W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R125P6XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R125P6XKSA1-ND
别名:SP001114656
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 51A(Ta) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX510N25
仓库库存编号:
RCX510N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 120W(Tc) TO-3PF
型号:
R6015ENZC8
仓库库存编号:
R6015ENZC8-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 24A
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 190W(Tc) TO-247
型号:
STW33N60DM2
仓库库存编号:
497-16353-5-ND
别名:497-16353-5
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Tc) 1.1W(Ta),25W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY02N50D
仓库库存编号:
IXTY02N50D-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R6012FNX
仓库库存编号:
R6012FNX-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 110W(Tc) TO-3PF
型号:
R6015ANZC8
仓库库存编号:
R6015ANZC8-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 170W(Tc) TO-220
型号:
STP28N60DM2
仓库库存编号:
497-16348-5-ND
别名:497-16348-5
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF28N60DM2
仓库库存编号:
497-16351-5-ND
别名:497-16351-5
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 32A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 500W(Tc) TO-220-3
型号:
IXTP32N65X
仓库库存编号:
IXTP32N65X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 14A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 78W(Tc) TO-220-3
型号:
IXTP32N65XM
仓库库存编号:
IXTP32N65XM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 250W(Tc) TO-220
型号:
STP43N60DM2
仓库库存编号:
497-16342-5-ND
别名:497-16342-5
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 150W(Tc) TO-3PF
型号:
R6025FNZC8
仓库库存编号:
R6025FNZC8-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 28A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 695W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH28N60P3
仓库库存编号:
IXFH28N60P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 100A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Ta),100A(Tc) 306W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA8440
仓库库存编号:
FDA8440-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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