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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 83.3W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP9N60N
  仓库库存编号：FCP9N60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 270W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA24N50F
  仓库库存编号：FDA24N50F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA76645S3ST_F085
  仓库库存编号：HUFA76645S3ST_F085CT-ND
  别名：HUFA76645S3ST_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150A（Tc） 800mW（Ta），142W（Tc） 8-DSOP Advance
  
  型号：TPWR8503NL,L1Q
  仓库库存编号：TPWR8503NLL1QCT-ND
  别名：TPWR8503NLL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
  
  型号：SUM70040M-GE3
  仓库库存编号：SUM70040M-GE3CT-ND
  别名：SUM70040M-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 128A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SUM80090E-GE3
  仓库库存编号：SUM80090E-GE3CT-ND
  别名：SUM80090E-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB33N65M2
  仓库库存编号：497-15457-1-ND
  别名：497-15457-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM60030E-GE3
  仓库库存编号：SUM60030E-GE3CT-ND
  别名：SUM60030E-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 100W（Tc） LPTS
  
  型号：RSJ10HN06TL
  仓库库存编号：RSJ10HN06TLCT-ND
  别名：RSJ10HN06TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 46W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFI4229PBF
  仓库库存编号：IRFI4229PBF-ND
  别名：SP001575824
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD11NM60ND
  仓库库存编号：497-8477-1-ND
  别名：497-8477-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 110A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 333W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：FDB86563_F085
  仓库库存编号：FDB86563_F085CT-ND
  别名：FDB86563_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP86363_F085
  仓库库存编号：FDP86363_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 300W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD19505KTT
  仓库库存编号：296-44040-1-ND
  别名：296-44040-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 110A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB86363_F085
  仓库库存编号：FDB86363_F085CT-ND
  别名：FDB86363_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc）
  
  型号：IRF840ASTRRPBF
  仓库库存编号：IRF840ASTRRPBFCT-ND
  别名：IRF840ASTRRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 205W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP9N90C
  仓库库存编号：FQP9N90CFS-ND
  别名：FQP9N90C-ND
  FQP9N90CFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 114W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH11N60E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH11N60E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH11N60E-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4442DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4442DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4442DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK16A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK16A60WS4VX-ND
  别名：TK16A60W,S4VX(M
  TK16A60WS4VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 40V 7A SO8-F1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2W（Ta） SO8-F1-B
  
  型号：MTM982400BBF
  仓库库存编号：MTM982400BBFCT-ND
  别名：MTM982400BBFCT
  
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB170NF04
  仓库库存编号：497-12535-1-ND
  别名：497-12535-1
  
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  MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
  
  型号：SIE832DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE832DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE832DF-T1-GE3CT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
  
  型号：SIE820DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE820DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE820DF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SQM60030E_GE3
  仓库库存编号：SQM60030E_GE3CT-ND
  别名：SQM60030E_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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