以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 25A（Tc） 57W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：AUIRLR3105
  仓库库存编号：AUIRLR3105-ND
  别名：SP001520418
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 63A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRLR3110Z
  仓库库存编号：AUIRLR3110Z-ND
  别名：SP001521338
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 42A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：AUIRLR3114Z
  仓库库存编号：AUIRLR3114Z-ND
  别名：SP001517704
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 99A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 143W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRLR3636
  仓库库存编号：AUIRLR3636-ND
  别名：SP001520390
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 61A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 120W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：AUIRLR3915
  仓库库存编号：AUIRLR3915-ND
  别名：SP001516276
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 343A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 195A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRLS3034
  仓库库存编号：AUIRLS3034-ND
  别名：SP001521846
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7P
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 240A（Tc） 380W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：AUIRLS3034-7P
  仓库库存编号：AUIRLS3034-7P-ND
  别名：AUIRLS30347P
  SP001518970
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 195A（Tc） 380W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRLS3036
  仓库库存编号：AUIRLS3036-ND
  别名：SP001521322
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK-7P
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 240A（Tc） 380W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：AUIRLS3036-7P
  仓库库存编号：AUIRLS3036-7P-ND
  别名：AUIRLS30367P
  SP001520858
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 56A（Tc） 143W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：AUIRLS3114Z
  仓库库存编号：AUIRLS3114Z-ND
  别名：SP001516760
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 180A（Tc） 370W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRLS4030
  仓库库存编号：AUIRLS4030-ND
  别名：SP001519902
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 190A（Tc） 370W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：AUIRLS4030-7P
  仓库库存编号：AUIRLS4030-7P-ND
  别名：AUIRLS40307P
  SP001522310
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.2A（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF1902GPBF
  仓库库存编号：IRF1902GPBF-ND
  别名：SP001571184
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 59A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3710ZGPBF
  仓库库存编号：IRF3710ZGPBF-ND
  别名：SP001564604
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF4104GPBF
  仓库库存编号：IRF4104GPBF-ND
  别名：SP001571350
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 25.7W（Tc） PG-TO220FP
  
  型号：IPA50R950CE
  仓库库存编号：IPA50R950CEIN-ND
  别名：IPA50R950CEIN
  IPA50R950CEXKSA1
  SP000939328
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 34W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R950CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD50R950CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD50R950CEBTMA1CT
  IPD50R950CEIN
  IPD50R950CEIN-ND
  IPD50R950CEINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 13A（Tc） 92W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R280CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD50R280CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD50R280CEBTMA1CT
  IPD50R280CEIN
  IPD50R280CEIN-ND
  IPD50R280CEINCT
  IPD50R280CEINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 30.4W（Tc） PG-TO220FP
  
  型号：IPA50R280CE
  仓库库存编号：IPA50R280CEIN-ND
  别名：IPA50R280CEIN
  IPA50R280CEXKSA1
  SP000848218
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 7.6A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220FP
  
  型号：IPA50R500CE
  仓库库存编号：IPA50R500CEIN-ND
  别名：IPA50R500CEIN
  IPA50R500CEXKSA1
  SP000939320
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 22A（Tc） 95W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BTS121AE3045ANTMA1
  仓库库存编号：BTS121AE3045ANTMA1CT-ND
  别名：BTS121A E3045ACT
  BTS121A E3045ACT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 3.4A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7342D2TRPBF
  仓库库存编号：IRF7342D2TRPBFCT-ND
  别名：IRF7342D2TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 58A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 58A（Tc） 96W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7514-60E,127
  仓库库存编号：568-9836-5-ND
  别名：568-9836-5
  934066468127
  BUK751460E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK751R6-30E,127
  仓库库存编号：568-9837-5-ND
  别名：568-9837-5
  934066478127
  BUK751R630E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK752R7-60E,127
  仓库库存编号：568-9840-5-ND
  别名：568-9840-5
  934066481127
  BUK752R760E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索