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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 800V 4A KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 4A Through Hole KBL
  
  型号：KBL408G
  仓库库存编号：KBL408GGN-ND
  别名：KBL408GGN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 4A KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4A Through Hole KBL
  
  型号：KBL410G
  仓库库存编号：KBL410GGN-ND
  别名：KBL410GGN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 250V 2.2A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta），14A（Tc） 2W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6458
  仓库库存编号：785-1363-1-ND
  别名：785-1363-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 400V 8A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD9N40
  仓库库存编号：785-1386-1-ND
  别名：785-1386-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4943CDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4943CDY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7720DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7720DN-T1-GE3TR-ND
  别名：SI7720DN-T1-GE3TR
  SI7720DNT1GE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 7A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 178W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI7N65
  仓库库存编号：785-1453-5-ND
  别名：785-1453-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 3.78W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7328DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7328DN-T1-GE3TR-ND
  别名：SI7328DN-T1-GE3TR
  SI7328DNT1GE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 3.78W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7328DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7328DN-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 4A 50V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 4A Through Hole KBU
  
  型号：KBU4A-E4/51
  仓库库存编号：KBU4A-E4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE 50A 1000V TAB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 50A QC Terminal MP-50
  
  型号：MP5010-BP
  仓库库存编号：MP5010-BP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE 50A 100V TAB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 50A QC Terminal MP-50
  
  型号：MP501-BP
  仓库库存编号：MP501-BP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE 50A 200V TAB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 50A QC Terminal MP-50
  
  型号：MP502-BP
  仓库库存编号：MP502-BP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE 50A 400V TAB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 50A QC Terminal MP-50
  
  型号：MP504-BP
  仓库库存编号：MP504-BP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE 50A 800V TAB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 50A QC Terminal MP-50
  
  型号：MP508-BP
  仓库库存编号：MP508-BP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 6A 50V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 6A Through Hole KBU
  
  型号：KBU6A-E4/51
  仓库库存编号：KBU6A-E4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 8A 50V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 8A Through Hole KBU
  
  型号：KBU8A-E4/51
  仓库库存编号：KBU8A-E4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE 50A 50V WIRE LEADS
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 50A Through Hole MP-50WW
  
  型号：MP5005W-BP
  仓库库存编号：MP5005W-BPMS-ND
  别名：MP5005W-BPMS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE 50A 100V WIRE LEADS
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 50A Through Hole MP-50WW
  
  型号：MP501W-BP
  仓库库存编号：MP501W-BPMS-ND
  别名：MP501W-BPMS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP 250V 17A TO264
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 30MHz Through Hole TO-264
  
  型号：FJL4215OTU
  仓库库存编号：FJL4215OTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP20N20
  仓库库存编号：497-4373-5-ND
  别名：497-4373-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 14A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB15NK50ZT4
  仓库库存编号：STB15NK50ZT4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 75A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 75A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW75N20
  仓库库存编号：497-5320-5-ND
  别名：497-5320-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 75A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB75N20
  仓库库存编号：497-5313-1-ND
  别名：497-5313-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 83A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 83A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW90NF20
  仓库库存编号：497-8464-5-ND
  别名：497-8464-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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