产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(213)
二极管 - 桥式整流器
(65)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
(14)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(11)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(118)
晶体管 - JFET
(5)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(52)
Diodes Incorporated(1)
Fairchild/ON Semiconductor(14)
GeneSiC Semiconductor(13)
Infineon Technologies(1)
Micro Commercial Co(23)
ON Semiconductor(1)
STMicroelectronics(11)
Taiwan Semiconductor Corporation(8)
Vishay Semiconductor Diodes Division(29)
Vishay Siliconix(60)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 104W（Tc） TO-251A
型号：
AOI4N60
仓库库存编号：
AOI4N60-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 300V 1.2A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta），4A（Tc） 3.1W（Ta），33W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7460
仓库库存编号：
785-1313-1-ND
别名：785-1313-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 104W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD4N60
仓库库存编号：
785-1183-1-ND
别名：785-1183-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET W/SC
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS778DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS778DN-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 400V 4.2A TO251A
详细描述：通孔 N 沟道 4.2A（Tc） 78W（Tc） TO-251A
型号：
AOI5N40
仓库库存编号：
785-1451-5-ND
别名：785-1451-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 50V 2A KBP
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 2A Through Hole KBP
型号：
KBP201
仓库库存编号：
KBP201GN-ND
别名：KBP201GN
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 100V 2A KBP
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 2A Through Hole KBP
型号：
KBP202
仓库库存编号：
KBP202GN-ND
别名：KBP202GN
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 200V 2A KBP
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 2A Through Hole KBP
型号：
KBP203
仓库库存编号：
KBP203GN-ND
别名：KBP203GN
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 400V 2A KBP
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 2A Through Hole KBP
型号：
KBP204
仓库库存编号：
KBP204GN-ND
别名：KBP204GN
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 600V 2A KBP
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 2A Through Hole KBP
型号：
KBP206
仓库库存编号：
KBP206GN-ND
别名：KBP206GN
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 800V 2A KBP
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 2A Through Hole KBP
型号：
KBP208
仓库库存编号：
KBP208GN-ND
别名：KBP208GN
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO251A
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 178W（Tc） TO-251A
型号：
AOI7N60
仓库库存编号：
785-1452-5-ND
别名：785-1452-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 9A TO251A
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 178W（Tc） TO-251A
型号：
AOI9N50
仓库库存编号：
785-1455-5-ND
别名：785-1455-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 178W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD7N60
仓库库存编号：
785-1483-1-ND
别名：785-1483-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 74W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD2HC60
仓库库存编号：
AOD2HC60-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 50V 4A KBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 4A Through Hole KBL
型号：
KBL401G
仓库库存编号：
KBL401GGN-ND
别名：KBL401GGN
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 100V 4A KBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 4A Through Hole KBL
型号：
KBL402G
仓库库存编号：
KBL402GGN-ND
别名：KBL402GGN
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 200V 4A KBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 4A Through Hole KBL
型号：
KBL403G
仓库库存编号：
KBL403GGN-ND
别名：KBL403GGN
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 400V 4A KBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 4A Through Hole KBL
型号：
KBL404G
仓库库存编号：
KBL404GGN-ND
别名：KBL404GGN
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 600V 4A KBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 4A Through Hole KBL
型号：
KBL406G
仓库库存编号：
KBL406GGN-ND
别名：KBL406GGN
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 250V 8A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 78W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD8N25
仓库库存编号：
785-1361-1-ND
别名：785-1361-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7726DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7726DN-T1-GE3TR-ND
别名：SI7726DN-T1-GE3TR
SI7726DNT1GE3
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD2N100
仓库库存编号：
AOD2N100-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 89W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD3C60
仓库库存编号：
AOD3C60-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS776DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS776DN-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
