以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52.1W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7129DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7129DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7129DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD3N80
  仓库库存编号：785-1620-1-ND
  别名：785-1620-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7121DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7121DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7121DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 40A PPAK 1212
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 4.8W（Ta），57W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7655DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7655DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7655DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.9A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7115DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7115DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7115DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.9A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7115DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7115DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7115DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc）
  
  型号：SI7102DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7102DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7102DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13.2A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7113DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7113DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7113DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE 50A 50V TAB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 50A QC Terminal MP-50
  
  型号：MP5005-BP
  仓库库存编号：MP5005-BP-ND
  别名：MP5005BP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB75NF20
  仓库库存编号：497-5957-1-ND
  别名：497-5957-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE 50A 800V WIRE LEADS
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 50A Through Hole MP-50WW
  
  型号：MP508W-BP
  仓库库存编号：MP508W-BPMS-ND
  别名：MP508W-BPMS
  MP508WBP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 4A 100V KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 4A Through Hole KBL
  
  型号：KBL01-E4/51
  仓库库存编号：KBL01-E4/51GI-ND
  别名：KBL01-E4/1
  KBL01-E4/1-ND
  KBL01-E4/1GI
  KBL01-E4/1GI-ND
  KBL01-E4/51GI
  KBL01E451
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 4A 800V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 4A Through Hole KBU
  
  型号：KBU4K-E4/51
  仓库库存编号：KBU4K-E4/51GI-ND
  别名：KBU4K-E4/51-ND
  KBU4KE451
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS NPN 250V 17A TO264
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 17A 30MHz 150W Through Hole TO-264
  
  型号：FJL4315OTU
  仓库库存编号：FJL4315OTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE 50A 600V WIRE LEADS
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 50A Through Hole MP-50WW
  
  型号：MP506W-BP
  仓库库存编号：MP506W-BPMS-ND
  别名：MP506W-BPMS
  MP506WBP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7112DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7112DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7112DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7112DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7112DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7112DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP 250V 17A TO264
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 250V 17A 30MHz 150W Through Hole TO-264
  
  型号：2SA1943RTU
  仓库库存编号：2SA1943RTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 17A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP20NK50Z
  仓库库存编号：497-7515-5-ND
  别名：497-7515-5
  STP20NK50Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.3A（Tc） 45W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD1N60
  仓库库存编号：785-1179-1-ND
  别名：785-1179-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52.1W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7613DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7613DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7613DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6A 20.8W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7216DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7216DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7216DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 8A 600V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 8A Through Hole KBU
  
  型号：KBU8J-E4/51
  仓库库存编号：KBU8J-E4/51GI-ND
  别名：KBU8J
  KBU8J-E4/51-ND
  KBU8J-E4/51GI
  KBU8J-ND
  KBU8J/1
  KBU8J/1-ND
  KBU8JE451
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 9A SC70
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Tc） 2.9W（Ta），15.6W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA459EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA459EDJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA459EDJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 24A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA453EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA453EDJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA453EDJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索