产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 4A 1000V KBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4A Through Hole KBL
型号：
KBL10-E4/51
仓库库存编号：
KBL10-E4/51GI-ND
别名：KBL10-E4/1
KBL10-E4/1-ND
KBL10-E4/1GI
KBL10-E4/1GI-ND
KBL10-E4/51GI
KBL10E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 4A 200V KBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 4A Through Hole KBL
型号：
KBL02-E4/51
仓库库存编号：
KBL02-E4/51GI-ND
别名：KBL02
KBL02-E4/51GI
KBL02-ND
KBL02/1
KBL02/1-ND
KBL02/1GI
KBL02/1GI-ND
KBL02E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 4A 600V KBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 4A Through Hole KBL
型号：
KBL06-E4/51
仓库库存编号：
KBL06-E4/51GI-ND
别名：KBL06-E4/1
KBL06-E4/1-ND
KBL06-E4/1GI
KBL06-E4/1GI-ND
KBL06-E4/51GI
KBL06E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 4A 800V KBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 4A Through Hole KBL
型号：
KBL08-E4/51
仓库库存编号：
KBL08-E4/51GI-ND
别名：KBL08
KBL08-E4/1
KBL08-E4/1-ND
KBL08-E4/1GI
KBL08-E4/1GI-ND
KBL08-E4/51GI
KBL08-ND
KBL08/1
KBL08/1-ND
KBL08/1GI
KBL08/1GI-ND
KBL08E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS NPN 250V 17A TO-220AB
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 17A 30MHz 80W Through Hole TO-220
型号：
FJP5200RTU
仓库库存编号：
FJP5200RTU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS PNP 230V 15A TO-220AB
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 230V 15A 30MHz 80W Through Hole TO-220-3
型号：
FJP1943RTU
仓库库存编号：
FJP1943RTU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 4A 1000V KBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4A Through Hole KBU
型号：
KBU4M-E4/51
仓库库存编号：
KBU4M-E4/51-ND
别名：KBU4ME451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 4A 200V KBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 4A Through Hole KBU
型号：
KBU4D-E4/51
仓库库存编号：
KBU4D-E4/51GI-ND
别名：KBU4D
KBU4D-E4/51-ND
KBU4D-E4/51GI
KBU4D-ND
KBU4D/1
KBU4D/1-ND
KBU4DE451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS NPN 250V 17A TO264
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 17A 30MHz 150W Through Hole TO-264
型号：
2SC5200OTU
仓库库存编号：
2SC5200OTU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 8A 200V KBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 8A Through Hole KBU
型号：
KBU8D-E4/51
仓库库存编号：
KBU8D-E4/51GI-ND
别名：KBU8D-E4/51-ND
KBU8D-E4/51GI
KBU8DE451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 8A 100V KBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 8A Through Hole KBU
型号：
KBU8B-E4/51
仓库库存编号：
KBU8B-E4/51GI-ND
别名：KBU8B
KBU8B-E4/51-ND
KBU8B-E4/51GI
KBU8B-ND
KBU8B/1
KBU8B/1-ND
KBU8BE451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 8A 400V KBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 8A Through Hole KBU
型号：
KBU8G-E4/51
仓库库存编号：
KBU8G-E4/51GI-ND
别名：KBU8G
KBU8G-E4/51-ND
KBU8G-E4/51GI
KBU8G-ND
KBU8G/1
KBU8G/1-ND
KBU8GE451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
STP15NK50ZFP
仓库库存编号：
497-12055-5-ND
别名：497-12055-5
STP15NK50ZFP-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
RECT BRIDGE 50A 400V WIRE LEADS
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 50A Through Hole MP-50WW
型号：
MP504W-BP
仓库库存编号：
MP504W-BPMS-ND
别名：MP504W-BPMS
MP504WBP
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 57W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD3N50
仓库库存编号：
785-1175-1-ND
别名：785-1175-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 8A CHIPFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 3.5W（Ta），10.9W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
型号：
SI5459DU-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5459DU-T1-GE3CT-ND
别名：SI5459DU-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 25A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
型号：
SI5411EDU-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5411EDU-T1-GE3CT-ND
别名：SI5411EDU-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK CHIPFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 25A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
型号：
SI5415EDU-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5415EDU-T1-GE3CT-ND
别名：SI5415EDU-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 63W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR6225TRPBF
仓库库存编号：
IRLR6225TRPBFCT-ND
别名：IRLR6225TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 4.2W（Ta），36W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR492DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR492DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR492DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 4A 600V KBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 4A Through Hole KBU
型号：
KBU4J-E4/51
仓库库存编号：
KBU4J-E4/51GI-ND
别名：KBU4J-E4/51-ND
KBU4JE451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 4A 100V KBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 4A Through Hole KBU
型号：
KBU4B-E4/51
仓库库存编号：
KBU4B-E4/51GI-ND
别名：KBU4B
KBU4B-E4/51-ND
KBU4B-ND
KBU4B/1
KBU4B/1-ND
KBU4BE451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 4A 400V KBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 4A Through Hole KBU
型号：
KBU4G-E4/51
仓库库存编号：
KBU4G-E4/51GI-ND
别名：KBU4G-E4/51-ND
KBU4G-E4/51GI
KBU4GE451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 6A 100V KBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 6A Through Hole KBU
型号：
KBU6B-E4/51
仓库库存编号：
KBU6B-E4/51-ND
别名：KBU6BE451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 8A 800V KBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 8A Through Hole KBU
型号：
KBU8K-E4/51
仓库库存编号：
KBU8K-E4/51GI-ND
别名：KBU8K
KBU8K-E4/51-ND
KBU8K-E4/51GI
KBU8K-ND
KBU8K/1
KBU8K/1-ND
KBU8KE451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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