产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 16A（Ta），59A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MP
型号：
IRF6633TR1
仓库库存编号：
IRF6633TR1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Ta），60A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
型号：
IRF6644
仓库库存编号：
IRF6644-ND
别名：SP001574786
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Ta），60A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
型号：
IRF6644TR1
仓库库存编号：
IRF6644TR1-ND
别名：SP001561926
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.7A（Ta），25A（Tc） 3W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SJ
型号：
IRF6645
仓库库存编号：
IRF6645-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.2A（Ta），19A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SH
型号：
IRF6655TR1
仓库库存编号：
IRF6655TR1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.2A（Ta），19A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SH
型号：
IRF6665
仓库库存编号：
IRF6665-ND
别名：SP001554114
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.2A（Ta），19A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SH
型号：
IRF6665TR1
仓库库存编号：
IRF6665TR1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 55A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
型号：
IRF6668TR1
仓库库存编号：
IRF6668TR1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 19A（Ta），106A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6616TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6616TR1PBFCT-ND
别名：IRF6616TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 250A 790W
详细描述：IGBT Module Three Phase Inverter 650V 250A 790W Chassis Mount Module
型号：
FS200R07A1E3BOSA1
仓库库存编号：
FS200R07A1E3BOSA1-ND
别名：FS200R07A1E3
FS200R07A1E3-ND
FS200R07A1E3HOSA1
SP000663442
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 500A 1250W
详细描述：IGBT Module Three Phase Inverter 650V 500A 1250W Surface Mount Module
型号：
FS400R07A1E3BOSA1
仓库库存编号：
FS400R07A1E3BOSA1-ND
别名：FS400R07A1E3
FS400R07A1E3-ND
FS400R07A1E3HOSA1
SP000663446
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 19A（Ta），74A（Tc） 2.1W（Ta），32W（Tc） DIRECTFET? SQ
型号：
IRF6811STR1PBF
仓库库存编号：
IRF6811STR1PBFCT-ND
别名：IRF6811STR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 32A（Ta），160A（Tc） 2.1W（Ta），54W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6894MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6894MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6894MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 35A（Ta），213A（Tc） 2.1W（Ta），78W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6898MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6898MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6898MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），75W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF8306MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF8306MTR1PBFCT-ND
别名：IRF8306MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 13A（Ta），56A（Tc） 2.2W（Ta），38W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF077N06NT3GXUMA1
仓库库存编号：
BSF077N06NT3GXUMA1CT-ND
别名：BSF077N06NT3 GCT
BSF077N06NT3 GCT-ND
BSF077N06NT3G
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 39A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB012N03LX3 G
仓库库存编号：
BSB012N03LX3 GCT-ND
别名：BSB012N03LX3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 37A（Ta），170A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB012NE2LX
仓库库存编号：
BSB012NE2LXCT-ND
别名：BSB012NE2LXCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），147A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB017N03LX3 G
仓库库存编号：
BSB017N03LX3 GCT-ND
别名：BSB017N03LX3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta），60A（Tc） 2.2W（Ta），28W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF050N03LQ3GXUMA1
仓库库存编号：
BSF050N03LQ3GXUMA1CT-ND
别名：BSF050N03LQ3 GCT
BSF050N03LQ3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 25.7W（Tc） PG-TO220FP
型号：
IPA50R950CE
仓库库存编号：
IPA50R950CEIN-ND
别名：IPA50R950CEIN
IPA50R950CEXKSA1
SP000939328
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 500V 7.6A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220FP
型号：
IPA50R500CE
仓库库存编号：
IPA50R500CEIN-ND
别名：IPA50R500CEIN
IPA50R500CEXKSA1
SP000939320
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 5A PG-TO220 FPK
详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 26.4W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA50R800CE
仓库库存编号：
IPA50R800CE-ND
别名：IPA50R800CEXKSA1
SP000992084
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 500V 6.1A（Tc） 27.2W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA50R650CE
仓库库存编号：
IPA50R650CE-ND
别名：IPA50R650CEXKSA1
SP000992086
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 22A（Ta），160A（Tc） 2.1W（Ta），113W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF9383MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF9383MTR1PBFCT-ND
别名：IRF9383MTR1PBFCT
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