以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 145A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），145A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB024N03LX G
  仓库库存编号：BSB024N03LX G-ND
  别名：SP000597838
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），71A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB053N03LP G
  仓库库存编号：BSB053N03LP G-ND
  别名：SP000597830
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），71A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF053N03LT G
  仓库库存编号：BSF053N03LT G-ND
  别名：SP000597832
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），53A（Tc） 2.2W（Ta），36W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF083N03LQ G
  仓库库存编号：BSF083N03LQ G-ND
  别名：SP000597834
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3
  详细描述：IGBT 1200V 3.2A 28W Through Hole PG-TO220-3
  
  型号：IGP01N120H2XKSA1
  仓库库存编号：IGP01N120H2XKSA1-ND
  别名：IGP01N120H2
  IGP01N120H2-ND
  SP000683036
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
  详细描述：IGBT 1200V 9.6A 62.5W Through Hole PG-TO220-3
  
  型号：IGP03N120H2XKSA1
  仓库库存编号：IGP03N120H2XKSA1-ND
  别名：IGP03N120H2
  IGP03N120H2-ND
  SP000683038
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 16A 138W TO220-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 16A 138W Through Hole PG-TO220-3
  
  型号：IHP10T120
  仓库库存编号：IHP10T120-ND
  别名：SP000683048
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 30A 113W TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 113W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：IHW15T120FKSA1
  仓库库存编号：IHW15T120FKSA1-ND
  别名：IHW15T120
  IHW15T120-ND
  SP000014892
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 40A 178W TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 40A 178W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：IHW20T120FKSA1
  仓库库存编号：IHW20T120FKSA1-ND
  别名：IHW20T120
  IHW20T120-ND
  SP000014881
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 75A 270W TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 75A 270W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：IHW40T120FKSA1
  仓库库存编号：IHW40T120FKSA1-ND
  别名：IHW40T120
  IHW40T120-ND
  SP000014893
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 8.2A 29W TO220-3
  详细描述：IGBT 1200V 8.2A 29W Through Hole PG-TO220-3
  
  型号：IKA03N120H2XKSA1
  仓库库存编号：IKA03N120H2XKSA1-ND
  别名：IKA03N120H2
  IKA03N120H2-ND
  SP000215373
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3
  详细描述：IGBT 1200V 3.2A 28W Through Hole PG-TO220-3
  
  型号：IKP01N120H2XKSA1
  仓库库存编号：IKP01N120H2XKSA1-ND
  别名：IKP01N120H2
  IKP01N120H2-ND
  SP000683050
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
  详细描述：IGBT 1200V 9.6A 62.5W Through Hole PG-TO220-3
  
  型号：IKP03N120H2XKSA1
  仓库库存编号：IKP03N120H2XKSA1-ND
  别名：IKP03N120H2
  IKP03N120H2-ND
  SP000683052
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
  详细描述：IGBT 1200V 9.6A 62.5W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：IKW03N120H2FKSA1
  仓库库存编号：IKW03N120H2FKSA1-ND
  别名：IKW03N120H2
  IKW03N120H2-ND
  SP000014181
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 25A 37W TO220ABFP
  详细描述：IGBT Trench 600V 25A 37W Through Hole TO-220AB Full-Pak
  
  型号：IRG6IC30UPBF
  仓库库存编号：IRG6IC30UPBF-ND
  别名：SP001537372
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 330V 70A 160W D2PAK
  详细描述：IGBT Trench 330V 70A 160W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG6S330UPBF
  仓库库存编号：IRG6S330UPBF-ND
  别名：SP001540476
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 300V 70A 160W TO220AB
  详细描述：IGBT Trench 300V 70A 160W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGB4086PBF
  仓库库存编号：IRGB4086PBF-ND
  别名：SP001546074
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 300V 25A 43W TO220AB
  详细描述：IGBT Trench 300V 25A 43W Through Hole TO-220AB Full-Pak
  
  型号：IRGI4086PBF
  仓库库存编号：IRGI4086PBF-ND
  别名：SP001537744
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 300V 70A 160W D2PAK
  详细描述：IGBT Trench 300V 70A 160W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRGS4086PBF
  仓库库存编号：IRGS4086PBF-ND
  别名：SP001533990
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 19A（Ta），84A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SQ
  
  型号：IRF6711STR1PBF
  仓库库存编号：IRF6711STR1PBFCT-ND
  别名：IRF6711STR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 37A（Ta），197A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF6798MTR1PBF
  仓库库存编号：IRF6798MTR1PBFCT-ND
  别名：IRF6798MTR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 330V 50A 114W D2PAK
  详细描述：IGBT Trench 330V 50A 114W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG6S320UTRLPBF
  仓库库存编号：IRG6S320UTRLPBFCT-ND
  别名：IRG6S320UTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 330V 40A 78W D2PAK
  详细描述：IGBT Trench 330V 40A 78W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG7S313UTRLPBF
  仓库库存编号：IRG7S313UTRLPBFCT-ND
  别名：IRG7S313UTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 12.7A（Ta），55A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
  
  型号：IRF6614
  仓库库存编号：IRF6614-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 12.7A（Ta），55A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
  
  型号：IRF6614TR1
  仓库库存编号：IRF6614TR1-ND
  别名：SP001525534
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索