产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 17A（Ta），68A（Tc） 2.2W（Ta），36W（Tc） DIRECTFET? SQ
型号：
IRF6712STR1PBF
仓库库存编号：
IRF6712STR1PBFCT-ND
别名：IRF6712STR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 29A（Ta），166A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6714MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6714MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6714MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 34A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6715MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6715MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6715MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 39A（Ta），180A（Tc） 3.6W（Ta），78W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6716MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6716MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6716MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），60A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SQ
型号：
IRF6721STR1PBF
仓库库存编号：
IRF6721STR1PBFCT-ND
别名：IRF6721STR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），56A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MP
型号：
IRF6722MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6722MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6722MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），58A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
型号：
IRF6722STR1PBF
仓库库存编号：
IRF6722STR1PBFCT-ND
别名：IRF6722STR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6724MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6724MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6724MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），170A（Tc） 2.8W（Ta），100W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6725MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6725MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6725MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MT
型号：
IRF6726MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6726MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6726MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6727MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6727MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6727MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 4.9A（Ta），28A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
型号：
IRF6775MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6775MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6775MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.4A（Ta），19A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） DIRECTFET? MZ
型号：
IRF6785MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6785MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6785MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 300V 70A 160W TO247AC
详细描述：IGBT Trench 300V 70A 160W Through Hole TO-247AC
型号：
IRGP4086PBF
仓库库存编号：
IRGP4086PBF-ND
别名：SP001532854
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 36A（Ta），210A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6797MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6797MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6797MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 22A（Ta），95A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SQ
型号：
IRF6713STR1PBF
仓库库存编号：
IRF6713STR1PBFCT-ND
别名：IRF6713STR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 32A（Ta），160A（Tc） 2.8W（Ta），75W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6795MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6795MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6795MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 16A（Ta），69A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MU
型号：
IRF6633ATR1PBF
仓库库存编号：
IRF6633ATR1PBFCT-ND
别名：IRF6633ATR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），63A（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF045N03MQ3 G
仓库库存编号：
BSF045N03MQ3 G-ND
别名：SP000458790
SP000597844
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 330V 24A 39W TO220ABFP
详细描述：IGBT Trench 330V 24A 39W Through Hole TO-220AB
型号：
IRG6I320UPBF
仓库库存编号：
IRG6I320UPBF-ND
别名：SP001548070
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP
详细描述：IGBT Trench 330V 28A 43W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号：
IRG6I330UPBF
仓库库存编号：
IRG6I330UPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 300V 21A 34W TO220ABFP
详细描述：IGBT Trench 300V 21A 34W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号：
IRGI4090PBF
仓库库存编号：
IRGI4090PBF-ND
别名：SP001533850
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 38A（Ta），200A（Tc） 2.8W（Ta），96W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6717MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6717MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6717MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 31A（Ta），190A（Tc） 2.8W（Ta），104W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6729MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6729MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6729MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），174A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB019N03LX G
仓库库存编号：
BSB019N03LX G-ND
别名：SP000597826
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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