产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 29A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），100W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6629TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6629TR1PBFCT-ND
别名：IRF6629TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），57A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SQ
型号：
IRF6631TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6631TR1PBFCT-ND
别名：IRF6631TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 16A（Ta），59A（Tc） 2.3W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MP
型号：
IRF6633TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6633TR1PBFCT-ND
别名：IRF6633TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6635TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6635TR1PBFCT-ND
别名：IRF6635TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 18A（Ta），81A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
型号：
IRF6636TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6636TR1PBFCT-ND
别名：IRF6636TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），59A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MP
型号：
IRF6637TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6637TR1PBFCT-ND
别名：IRF6637TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta），140A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6638TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6638TR1PBFCT-ND
别名：IRF6638TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Ta），60A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
型号：
IRF6644TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6644TR1PBFCT-ND
别名：IRF6644TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.7A（Ta），25A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SJ
型号：
IRF6645TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6645TR1PBFCT-ND
别名：IRF6645TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 12A（Ta），68A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
型号：
IRF6646TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6646TR1PBFCT-ND
别名：IRF6646TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 86A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
型号：
IRF6648TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6648TR1PBFCT-ND
别名：IRF6648TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.3A（Ta），47A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
型号：
IRF6662TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6662TR1PBFCT-ND
别名：IRF6662TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.2A（Ta），19A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SH
型号：
IRF6665TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6665TR1PBFCT-ND
别名：IRF6665TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 55A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
型号：
IRF6668TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6668TR1PBFCT-ND
别名：IRF6668TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6678TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6678TR1PBFCT-ND
别名：IRF6678TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 32A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MT
型号：
IRF6691TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6691TR1PBFCT-ND
别名：IRF6691TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 300V 110A 255W D2PAK
详细描述：IGBT Trench 300V 110A 255W Surface Mount D2PAK
型号：
IRGS4055PBF
仓库库存编号：
IRGS4055PBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 300V 70A 178W D2PAK
详细描述：IGBT Trench 300V 70A 178W Surface Mount D2PAK
型号：
IRGS4065PBF
仓库库存编号：
IRGS4065PBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 300V 110A 255W TO247AC
详细描述：IGBT Trench 300V 110A 255W Through Hole TO-247AC
型号：
IRGP4055DPBF
仓库库存编号：
IRGP4055DPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 300V 70A 160W TO247AC
详细描述：IGBT Trench 300V 70A 160W Through Hole TO-247AC
型号：
IRGP4065DPBF
仓库库存编号：
IRGP4065DPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 15A（Ta），59A（Tc） 2.2W（Ta），34W（Tc） DIRECTFET? SQ
型号：
IRF6622TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6622TR1PBFCT-ND
别名：IRF6622TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.6A（Ta），26A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
型号：
IRF6641TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6641TR1PBFCT-ND
别名：IRF6641TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 6.2A（Ta），35A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
型号：
IRF6643TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6643TR1PBFCT-ND
别名：IRF6643TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 330V 28A 38W TO220ABFP
详细描述：IGBT Trench 330V 28A 38W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号：
IRGI4085-111PBF
仓库库存编号：
IRGI4085-111PBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 13.4A（Ta），67A（Tc） 3.6W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
型号：
IRF6674TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6674TR1PBFCT-ND
别名：IRF6674TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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