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• EPC
  TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 6.8A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2039ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2039ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2039ENGRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  TRIAC 600V 10A TO-220
  详细描述：TRIAC Standard 600V 10A Surface Mount 4-LDPAK
  
  型号：BCR10CS12LBT11#B00
  仓库库存编号：BCR10CS12LBT11#B00-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  TRIAC 800V 16A
  详细描述：TRIAC Standard 800V 16A Through Hole TO-220F
  
  型号：BCR16PM-16LH-1#C0A
  仓库库存编号：BCR16PM-16LH-1#C0A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  TRIAC 600V 3A
  详细描述：TRIAC Standard 600V 3A Through Hole TO-220FP
  
  型号：BCR3FM-12RB#BB0
  仓库库存编号：BCR3FM-12RB#BB0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  TRIAC 800V 4A
  详细描述：TRIAC Standard 800V 4A Surface Mount MP-3A
  
  型号：BCR4AS-16LHT13#B00
  仓库库存编号：BCR4AS-16LHT13#B00-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  TRIAC SENS GATE 800V 4A
  详细描述：TRIAC Logic - Sensitive Gate 800V 4A Through Hole TO-220AB
  
  型号：BCR4CM-16LH-1#BB0
  仓库库存编号：BCR4CM-16LH-1#BB0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  TRIAC 600V 5A
  详细描述：TRIAC Standard 600V 5A Through Hole TO-220AB
  
  型号：BCR5CM-12LB-1#BB0
  仓库库存编号：BCR5CM-12LB-1#BB0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  TRIAC 800V 5A
  详细描述：TRIAC Standard 800V 5A Through Hole TO-220FP
  
  型号：BCR5FM-14LB#BB0
  仓库库存编号：BCR5FM-14LB#BB0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 430V TO200FL
  详细描述：IGBT 430V 30W Through Hole TO-220FL
  
  型号：RJP4301APP-M0#T2
  仓库库存编号：RJP4301APP-M0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• EPC
  TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 4A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2025
  仓库库存编号：917-1125-1-ND
  别名：917-1125-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 90A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2022ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2022ENGRCT-ND
  别名：917-1140-1
  917-1140-1-ND
  917-EPC2022ENGRCT\
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
  IGBT F1235R12KT4GBOSA1
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 35A 210W Chassis Mount Module
  
  型号：F1235R12KT4GBOSA1
  仓库库存编号：F1235R12KT4GBOSA1-ND
  别名：F12-35R12KT4G
  F12-35R12KT4G-ND
  SP000415318
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
  IGBT FS100R12KT4B11BOSA1
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200V 100A 515W Chassis Mount Module
  
  型号：FS100R12KT4B11BOSA1
  仓库库存编号：FS100R12KT4B11BOSA1-ND
  别名：FS100R12KT4_B11
  FS100R12KT4_B11-ND
  SP000408736
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  TRIAC 800V 16A TO220FP
  详细描述：TRIAC Standard 800V 16A Through Hole TO-220FP
  
  型号：BCR16FM-14LB#FA0
  仓库库存编号：BCR16FM-14LB#FA0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  TRIAC 600V 3A TO220FP
  详细描述：TRIAC Standard 600V 3A Through Hole TO-220FP
  
  型号：BCR3FM-12RB#GA1
  仓库库存编号：BCR3FM-12RB#GA1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  TRIAC 600V 8A LDPAK
  详细描述：TRIAC Standard 600V 8A Surface Mount 4-LDPAK
  
  型号：BCR8CS-12LB#B00
  仓库库存编号：BCR8CS-12LB#B00-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  TRIAC 800V 8A TO220FP
  详细描述：TRIAC Standard 800V 8A Through Hole TO-220FP
  
  型号：BCR8FM-14LB#FA0
  仓库库存编号：BCR8FM-14LB#FA0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 26A（Ta），85A（Tc） 3.6W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MT
  
  型号：IRF6601
  仓库库存编号：IRF6601CT-ND
  别名：IRF6601CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 11A（Ta），48A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MQ
  
  型号：IRF6602
  仓库库存编号：IRF6602CT-ND
  别名：IRF6602CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），92A（Tc） 3.6W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MT
  
  型号：IRF6603
  仓库库存编号：IRF6603CT-ND
  别名：*IRF6603
  IRF6603CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta），49A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MQ
  
  型号：94-3250
  仓库库存编号：94-3250CT-ND
  别名：*IRF6604
  IRF6604CT
  IRF6604CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），94A（Tc） 3.6W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MT
  
  型号：IRF6607
  仓库库存编号：IRF6607CT-ND
  别名：*IRF6607
  IRF6607CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta），170A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MT
  
  型号：IRF6618
  仓库库存编号：IRF6618CT-ND
  别名：*IRF6618
  IRF6618CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），55A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
  
  型号：IRF6608
  仓库库存编号：IRF6608CT-ND
  别名：*IRF6608
  IRF6608CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 27A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：64-9145
  仓库库存编号：64-9145CT-ND
  别名：*IRF6620
  IRF6620CT
  IRF6620CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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