产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 84A 431W SOT-227
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 84A 431W Chassis Mount SOT-227
型号：
VS-GB50NA120UX
仓库库存编号：
VS-GB50NA120UX-ND
别名：VSGB50NA120UX
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 600V 111A 447W SOT-227
详细描述：IGBT Module NPT Single 600V 111A 447W Chassis Mount SOT-227
型号：
VS-GB70LA60UF
仓库库存编号：
VS-GB70LA60UF-ND
别名：VSGB70LA60UF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 600V 111A 447W SOT-227
详细描述：IGBT Module NPT Single 600V 111A 447W Chassis Mount SOT-227
型号：
VS-GB70NA60UF
仓库库存编号：
VS-GB70NA60UF-ND
别名：VSGB70NA60UF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MODULE IGBT SOT-227
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 658W Chassis Mount SOT-227
型号：
VS-GB75DA120UP
仓库库存编号：
VS-GB75DA120UP-ND
别名：VSGB75DA120UP
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 170A 658W Chassis Mount INT-A-PAK
型号：
VS-GB75LP120N
仓库库存编号：
VS-GB75LP120N-ND
别名：VSGB75LP120N
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MODULE IGBT SOT-227
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 658W Chassis Mount SOT-227
型号：
VS-GB75SA120UP
仓库库存编号：
VS-GB75SA120UP-ND
别名：VSGB75SA120UP
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 258A 893W SOT-227
详细描述：IGBT Module Trench Single 1200V 258A 893W Chassis Mount SOT-227
型号：
VS-GT100DA120U
仓库库存编号：
VS-GT100DA120U-ND
别名：VSGT100DA120U
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 134A 463W SOT-227
详细描述：IGBT Module Trench Single 1200V 134A 463W Chassis Mount SOT-227
型号：
VS-GT100LA120UX
仓库库存编号：
VS-GT100LA120UX-ND
别名：VSGT100LA120UX
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 134A 463W SOT-227
详细描述：IGBT Module Trench Single 1200V 134A 463W Chassis Mount SOT-227
型号：
VS-GT100NA120UX
仓库库存编号：
VS-GT100NA120UX-ND
别名：VSGT100NA120UX
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 750A 2344W DIAP
详细描述：IGBT Module Trench Half Bridge 1200V 750A 2344W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GT400TH120U
仓库库存编号：
VS-GT400TH120U-ND
别名：VSGT400TH120U
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 150A 446W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 150A 446W Chassis Mount INT-A-PAK
型号：
VS-GT75NP120N
仓库库存编号：
VS-GT75NP120N-ND
别名：VSGT75NP120N
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MODULE DIODE 430A SMAGN-A-PAK
详细描述：SCR Module 1600V 675A Series Connection - SCR/Diode Chassis Mount SUPER MAGN-A-PAK
型号：
VS-VSKH430-16PBF
仓库库存编号：
VS-VSKH430-16PBF-ND
别名：VSVSKH43016PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MODULE THY 430A SMAGN-A-PAK
详细描述：SCR Module 1800V 675A Series Connection - SCR/Diode Chassis Mount SUPER MAGN-A-PAK
型号：
VS-VSKL430-18PBF
仓库库存编号：
VS-VSKL430-18PBF-ND
别名：VSVSKL43018PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MODULE THY 430A SMAGN-A-PAK
详细描述：SCR Module 1800V 675A Series Connection - All SCRs Chassis Mount SUPER MAGN-A-PAK
型号：
VS-VSKT430-18PBF
仓库库存编号：
VS-VSKT430-18PBF-ND
别名：VSVSKT43018PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Powerex Inc.
MOD IGBT 1200V 100A SPLIT SI/SIC
详细描述：IGBT Module 2 Independent 1200V 100A 730W
型号：
QID1210005
仓库库存编号：
QID1210005-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Powerex Inc.
MOD IGBT 1200V 100A SPLIT SI/SIC
详细描述：IGBT Module 2 Independent 1200V 100A 570W
型号：
QID1210006
仓库库存编号：
QID1210006-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Powerex Inc.
MOD IGBT 1200V 100A
详细描述：IGBT Module 2 Independent 1200V 100A 730W
型号：
QID1210007
仓库库存编号：
QID1210007-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Powerex Inc.
MOD IGBT 1200V 105A
详细描述：IGBT Module 2 Independent 1200V 150A 960W
型号：
QID1215003
仓库库存编号：
QID1215003-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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EPC
TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 36A（Ta） 模具剖面（11 焊条）
型号：
EPC2015CENGR
仓库库存编号：
917-EPC2015CENGRCT-ND
别名：917-EPC2015CENGRCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 31A（Ta） 模具
型号：
EPC2029ENGRT
仓库库存编号：
917-EPC2029ENGRCT-ND
别名：917-EPC2029CENGRCT
917-EPC2029CENGRCT-ND
917-EPC2029CENGRTCT
917-EPC2029CENGRTCT-ND
917-EPC2029ENGRCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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EPC
TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 31A（Ta） 模具
型号：
EPC2031ENGR
仓库库存编号：
917-EPC2031ENGR-ND
别名：917-EPC2031ENGR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 48A（Ta） 模具
型号：
EPC2032ENGR
仓库库存编号：
917-EPC2032ENGR-ND
别名：917-EPC2032ENGR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 31A（Ta） 模具
型号：
EPC2033ENGR
仓库库存编号：
917-EPC2033ENGR-ND
别名：917-EPC2033ENGR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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EPC
TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 31A（Ta） 模具
型号：
EPC2034ENGR
仓库库存编号：
917-EPC2034ENGR-ND
别名：917-EPC2034ENGR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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EPC
TRANS GAN 25V BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 15V 3.4A（Ta） 模具
型号：
EPC2040ENGR
仓库库存编号：
917-EPC2040ENGR-ND
别名：917-EPC2040ENGR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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