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• Microsemi Corporation
  MOD BRIDGE 3PH 1800V 150A M3-1
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1800V 150A Chassis Mount M3-1
  
  型号：MSDM150-18
  仓库库存编号：MSDM150-18-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD BRIDGE 3PH 800V 200A M3-1
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 200A Chassis Mount M3-1
  
  型号：MSDM200-08
  仓库库存编号：MSDM200-08-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD BRIDGE 3PH 1200V 200A M3-1
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 200A Chassis Mount M3-1
  
  型号：MSDM200-12
  仓库库存编号：MSDM200-12-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD BRIDGE 3PH 1800V 200A M3-1
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1800V 200A Chassis Mount M3-1
  
  型号：MSDM200-18
  仓库库存编号：MSDM200-18-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD BRIDGE 3PH 800V 50A M2-1
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 50A Chassis Mount M2-1
  
  型号：MSDM50-08
  仓库库存编号：MSDM50-08-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD BRIDGE 3PH 1200V 50A M2-1
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 50A Chassis Mount M2-1
  
  型号：MSDM50-12
  仓库库存编号：MSDM50-12-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD BRIDGE 3PH 1800V 50A M2-1
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1800V 50A Chassis Mount M2-1
  
  型号：MSDM50-18
  仓库库存编号：MSDM50-18-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD BRIDGE 3PH 800V 75A M2-1
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 75A Chassis Mount M2-1
  
  型号：MSDM75-08
  仓库库存编号：MSDM75-08-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD BRIDGE 3PH 1200V 75A M2-1
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 75A Chassis Mount M2-1
  
  型号：MSDM75-12
  仓库库存编号：MSDM75-12-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD BRIDGE 3PH 1800V 75A M2-1
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1800V 75A Chassis Mount M2-1
  
  型号：MSDM75-18
  仓库库存编号：MSDM75-18-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  PWR MOD THYRISTOR 1600V 100V SM4
  详细描述：SCR Module 1600V Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes Chassis Mount M4 Module
  
  型号：MSDT100-16
  仓库库存编号：MSDT100-16-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 33A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2815
  仓库库存编号：917-1036-1-ND
  别名：917-1036-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• EPC
  TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 4.4A（Ta） 模具
  
  型号：EPC8004ENGR
  仓库库存编号：917-EPC8004ENGR-ND
  别名：917-EPC8004ENGR
  EPC8004ENGA
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65V 4.1A（Ta） 模具
  
  型号：EPC8009ENGR
  仓库库存编号：917-EPC8009ENGR-ND
  别名：917-EPC8009ENGR
  EPC8009ENGG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 500V TO-220FN
  详细描述：IGBT 500V 45W Through Hole TO-220FL
  
  型号：RJP5001APP-M0#T2
  仓库库存编号：RJP5001APP-M0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2020ENG
  仓库库存编号：917-EPC2020ENG-ND
  别名：917-EPC2020ENG
  EPC2020ENGRB2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 9.5A, 38A Surface Mount Die
  
  型号：EPC2100ENG
  仓库库存编号：917-EPC2100ENG-ND
  别名：917-EPC2100ENG
  EPC2100ENGR_H1
  EPC2100ENGRH1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die
  
  型号：EPC2101ENG
  仓库库存编号：917-EPC2101ENG-ND
  别名：917-EPC2101ENG
  EPC2101ENGR_H5
  EPC2101ENGRH5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A Surface Mount Die
  
  型号：EPC2102ENG
  仓库库存编号：917-EPC2102ENG-ND
  别名：917-EPC2102ENG
  EPC2102ENGRH6
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• EPC
  TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die
  
  型号：EPC2103ENG
  仓库库存编号：917-EPC2103ENG-ND
  别名：917-EPC2103ENG
  EPC2103ENGRH7
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK
  详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 182A 520W Chassis Mount INT-A-PAK
  
  型号：VS-GA100TS120UPBF
  仓库库存编号：VS-GA100TS120UPBF-ND
  别名：VSGA100TS120UPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK
  详细描述：IGBT Module PT Half Bridge 600V 220A 780W Chassis Mount INT-A-PAK
  
  型号：VS-GA100TS60SFPBF
  仓库库存编号：VS-GA100TS60SFPBF-ND
  别名：VSGA100TS60SFPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK
  详细描述：IGBT Module Half Bridge 600V 480A 830W Chassis Mount INT-A-PAK
  
  型号：VS-GA200HS60S1PBF
  仓库库存编号：VS-GA200HS60S1PBF-ND
  别名：VSGA200HS60S1PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MODULE IGBT SOT-227
  详细描述：IGBT Module Single 600V 125A 447W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：VS-GB100DA60UP
  仓库库存编号：VS-GB100DA60UP-ND
  别名：VSGB100DA60UP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 1200V 84A 431W SOT-227
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 84A 431W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：VS-GB50LA120UX
  仓库库存编号：VS-GB50LA120UX-ND
  别名：VSGB50LA120UX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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