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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 1200V 80A 463W MTP
  详细描述：IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 80A 463W Chassis Mount MTP
  
  型号：VS-40MT120UHAPBF
  仓库库存编号：VS-40MT120UHAPBF-ND
  别名：VS40MT120UHAPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227
  详细描述：IGBT Module Trench Single 1200V 288A 1087W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：VS-GT175DA120U
  仓库库存编号：VS-GT175DA120U-ND
  别名：VSGT175DA120U
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS RF NPN 12V 50MA SOT-143R
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 50mA 11GHz 450mW Surface Mount SOT-143R
  
  型号：BFU550XRR
  仓库库存编号：568-11518-1-ND
  别名：568-11518-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS RF NPN 12V 40MA SOT-143B
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 40mA 11GHz 450mW Surface Mount SOT-143B
  
  型号：BFU530XAR
  仓库库存编号：568-11512-1-ND
  别名：568-11512-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS RF NPN 12V 40MA SOT-143R
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 40mA 11GHz 450mW Surface Mount SOT-143R
  
  型号：BFU530XRR
  仓库库存编号：568-11513-1-ND
  别名：568-11513-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS RF NPN 12V 40MA SOT-143B
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 40mA 11GHz 450mW Surface Mount SOT-143B
  
  型号：BFU530R
  仓库库存编号：568-11510-1-ND
  别名：568-11510-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS RF NPN 12V 40MA SOT-323
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 40mA 11GHz 450mW Surface Mount SOT-323-3
  
  型号：BFU530WX
  仓库库存编号：568-11511-1-ND
  别名：568-11511-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 660mA (Ta) 150mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：CJ3139KDW-G
  仓库库存编号：641-1793-1-ND
  别名：641-1793-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Ta） 568mW（Ta） SOT-143
  
  型号：MIC94050YM4-TR
  仓库库存编号：576-2937-1-ND
  别名：576-2937-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• EPC
  TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 模具
  
  型号：EPC2038ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2038ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2038ENGRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS RF NPN 12V 30MA SOT-143R
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 30mA 10.5GHz 450mW Surface Mount SOT-143R
  
  型号：BFU520XRR
  仓库库存编号：568-11507-1-ND
  别名：568-11507-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS RF NPN 12V 30MA SOT-143B
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 30mA 10.5GHz 450mW Surface Mount SOT-143B
  
  型号：BFU520XAR
  仓库库存编号：568-11506-1-ND
  别名：568-11506-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS RF NPN 12V 30MA SOT-143B
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 30mA 10.5GHz 450mW Surface Mount SOT-143B
  
  型号：BFU520R
  仓库库存编号：568-11504-1-ND
  别名：568-11504-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 700V 5.4A TO251
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Tc） 53W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPS70R1K4CEAKMA1
  仓库库存编号：IPS70R1K4CEAKMA1-ND
  别名：SP001467042
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 700V 7.4A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 7.4A（Tc） 68W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPS70R950CEAKMA1
  仓库库存编号：IPS70R950CEAKMA1-ND
  别名：SP001467044
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRIAC SENS GATE 600V 4A IPAK
  详细描述：TRIAC Logic - Sensitive Gate 600V 4A Through Hole I-Pak
  
  型号：T405-600H
  仓库库存编号：497-12714-5-ND
  别名：497-12714-5
  T405-600H-ND
  T405600H
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 8.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 22.7W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPS70R1K4P7SAKMA1
  仓库库存编号：IPS70R1K4P7SAKMA1-ND
  别名：SP001499706
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS RF NPN 12V 60MA SOT89-3
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 60mA 10.5GHz 1W Surface Mount SOT-89-3
  
  型号：BFU580QX
  仓库库存编号：568-11520-1-ND
  别名：568-11520-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.7A（Ta），91A（Tc） 930mW（Ta），48W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4923NET1G
  仓库库存编号：NTMFS4923NET1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4923NET1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 12.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 30.5W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPS70R900P7SAKMA1
  仓库库存编号：IPS70R900P7SAKMA1-ND
  别名：SP001499716
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  SIDAC UNI 210-230V 1A DO214AC
  详细描述：Diac/Sidac Thyristor 210 ~ 230V 1A DO-214AC (SMA)
  
  型号：K2200S1URP
  仓库库存编号：F6761TR-ND
  别名：F6761TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  SIDAC UNI 210-230V 1A DO214AC
  详细描述：Diac/Sidac Thyristor 210 ~ 230V 1A DO-214AC (SMA)
  
  型号：K2200S1URP
  仓库库存编号：F6761CT-ND
  别名：F6761CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  SIDAC UNI 210-230V 1A DO214AC
  详细描述：Diac/Sidac Thyristor 210 ~ 230V 1A DO-214AC (SMA)
  
  型号：K2200S1URP
  仓库库存编号：F6761DKR-ND
  别名：F6761DKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRIAC SENS GATE 700V 4A DPAK
  详细描述：TRIAC Logic - Sensitive Gate 700V 4A Surface Mount D-Pak
  
  型号：T405-700B-TR
  仓库库存编号：497-5265-1-ND
  别名：497-5265-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  TRIAC SENS GATE 800V 4A IPAK
  详细描述：TRIAC Logic - Sensitive Gate 800V 4A Through Hole I-Pak
  
  型号：T410-800H
  仓库库存编号：497-12715-5-ND
  别名：497-12715-5
  T410-800H-ND
  T410800H
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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