产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Powerex Inc.
DIODE MOD 3PH BRDG 1600V 150A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1600V 150A Chassis Mount Module
型号:
ME601615
仓库库存编号:
835-1111-ND
别名:835-1111
ME601615-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Powerex Inc.
DIODE MOD 3PH BRDG 800V 20A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 800V 20A Chassis Mount Module
型号:
ME700802
仓库库存编号:
ME700802-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Powerex Inc.
DIODE MOD 3PH BRDG 800V 30A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 800V 30A Chassis Mount Module
型号:
ME700803
仓库库存编号:
ME700803-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Powerex Inc.
DIODE MOD 3PH BRDG 1200V 20A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1200V 20A Chassis Mount Module
型号:
ME701202
仓库库存编号:
ME701202-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Powerex Inc.
DIODE MOD 3PH BRDG 1200V 30A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1200V 30A Chassis Mount Module
型号:
ME701203
仓库库存编号:
835-1112-ND
别名:835-1112
ME701203-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Powerex Inc.
DIODE MOD 3PH BRDG 1600V 20A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1600V 20A Chassis Mount Module
型号:
ME701602
仓库库存编号:
ME701602-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Powerex Inc.
DIODE MOD 3PH BRDG 800V 60A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 800V 60A Chassis Mount Module
型号:
MEB00806
仓库库存编号:
MEB00806-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Powerex Inc.
DIODE 3PHASE BRIDGE 800V 40A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 800V 40A Chassis Mount Module
型号:
RM20TPM-H
仓库库存编号:
RM20TPM-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Powerex Inc.
DIODE 3-PHASE BRIDGE 800V 60A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 800V 60A Chassis Mount Module
型号:
RM30TPM-H
仓库库存编号:
RM30TPM-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Powerex Inc.
DIODE 3-PHASE BRIDGE 1600V 150A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1600V 150A Chassis Mount Module
型号:
RM75TPM-2H
仓库库存编号:
RM75TPM-2H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Powerex Inc.
DIODE 3-PHASE BRIDGE 800V 150A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 800V 150A Chassis Mount Module
型号:
RM75TPM-H
仓库库存编号:
RM75TPM-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOD DIODE GPP 1600V 75A M2
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1600V 75A Chassis Mount SM2
型号:
MSD75-16
仓库库存编号:
MSD75-16-ND
别名:MSD75-16MI
MSD75-16MI-ND
MSD7516
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 13A(Tc) 230W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC15N80Q
仓库库存编号:
IXFC15N80Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 100A(Tc) 360W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN100N10S1
仓库库存编号:
IXFN100N10S1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 100A(Tc) 360W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN100N10S2
仓库库存编号:
IXFN100N10S2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 100A(Tc) 360W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN100N10S3
仓库库存编号:
IXFN100N10S3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 44A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N50U2
仓库库存编号:
IXFN44N50U2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 44A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N50U3
仓库库存编号:
IXFN44N50U3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 48A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN48N50U2
仓库库存编号:
IXFN48N50U2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 48A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN48N50U3
仓库库存编号:
IXFN48N50U3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
IGBT 600V 15A 85W ISOPLUS220
详细描述:IGBT 600V 15A 85W Through Hole ISOPLUS220?
型号:
IXGC12N60C
仓库库存编号:
IXGC12N60C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
IGBT 600V 15A 85W ISOPLUS220
详细描述:IGBT 600V 15A 85W Through Hole ISOPLUS220?
型号:
IXGC12N60CD1
仓库库存编号:
IXGC12N60CD1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
IGBT 600V 15A 55W ISOPLUS247
详细描述:IGBT 600V 15A 55W Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR12N60C
仓库库存编号:
IXGR12N60C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
IGBT 600V 42A 80W ISOPLUS247
详细描述:IGBT 600V 42A 80W Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR24N60C
仓库库存编号:
IXGR24N60C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
IGBT 64A 1000V SOT-227B
详细描述:IGBT Module Single 1000V 38A 205W Chassis Mount SOT-227B
型号:
IXSN35N100U1
仓库库存编号:
IXSN35N100U1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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