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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 580A 2100W D3
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 580A 2100W Chassis Mount D3
  
  型号：APTGT400DA120D3G
  仓库库存编号：APTGT400DA120D3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 580A 2100W D3
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 580A 2100W Chassis Mount D3
  
  型号：APTGT400SK120D3G
  仓库库存编号：APTGT400SK120D3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 75A 277W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTGT50A120TG
  仓库库存编号：APTGT50A120TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1700V 70A 310W D1
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 70A 310W Chassis Mount D1
  
  型号：APTGT50DA170D1G
  仓库库存编号：APTGT50DA170D1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1700V 75A 312W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTGT50DU170TG
  仓库库存编号：APTGT50DU170TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Phase 1700V 70A 310W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTGT50TA170PG
  仓库库存编号：APTGT50TA170PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 100A 350W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTGT75A120TG
  仓库库存编号：APTGT75A120TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 110A 357W D1
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount D1
  
  型号：APTGT75DA120D1G
  仓库库存编号：APTGT75DA120D1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 110A 357W SP1
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTGT75DA120T1G
  仓库库存编号：APTGT75DA120T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 110A 357W D1
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount D1
  
  型号：APTGT75SK120D1G
  仓库库存编号：APTGT75SK120D1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 110A 357W SP1
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTGT75SK120T1G
  仓库库存编号：APTGT75SK120T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
  详细描述：IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 25A 115W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTGV15H120T3G
  仓库库存编号：APTGV15H120T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
  详细描述：IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 50A 90W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTGV30H60T3G
  仓库库存编号：APTGV30H60T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 120A 138W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTM08TDUM04PG
  仓库库存编号：APTM08TDUM04PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 68A 1250W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM100A12STG
  仓库库存编号：APTM100A12STG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 36A 694W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM100A23SCTG
  仓库库存编号：APTM100A23SCTG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 19A 357W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTM100A46FT1G
  仓库库存编号：APTM100A46FT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 40A（Tc） 657W（Tc） SP1
  
  型号：APTM100DA18T1G
  仓库库存编号：APTM100DA18T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 20A（Tc） 357W（Tc） SP1
  
  型号：APTM100DA40T1G
  仓库库存编号：APTM100DA40T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 43A 780W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM100DU18TG
  仓库库存编号：APTM100DU18TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 11A 208W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTM100H80FT1G
  仓库库存编号：APTM100H80FT1G-ND
  
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  MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 20A（Tc） 357W（Tc） SP1
  
  型号：APTM100SK40T1G
  仓库库存编号：APTM100SK40T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTM100TDU35PG
  仓库库存编号：APTM100TDU35PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 65A J3
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 65A（Tc） 1250W（Tc） 模块
  
  型号：APTM100U13SG
  仓库库存编号：APTM100U13SG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 100V 139A 390W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM10DHM09TG
  仓库库存编号：APTM10DHM09TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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