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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 39A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC60AM70T1G
  仓库库存编号：APTC60AM70T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 72A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 72A（Tc） 416W（Tc） SP1
  
  型号：APTC60DAM35T1G
  仓库库存编号：APTC60DAM35T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 39A 250W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC60DDAM70T3G
  仓库库存编号：APTC60DDAM70T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 39A 250W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC60DSKM70T3G
  仓库库存编号：APTC60DSKM70T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 72A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 72A（Tc） 416W（Tc） SP1
  
  型号：APTC60SKM35T1G
  仓库库存编号：APTC60SKM35T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC80A15T1G
  仓库库存编号：APTC80A15T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 28A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 28A（Tc） 277W（Tc） SP1
  
  型号：APTC80DA15T1G
  仓库库存编号：APTC80DA15T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 800V 15A 156W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC80DDA29T3G
  仓库库存编号：APTC80DDA29T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 800V 15A 156W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC80DSK29T3G
  仓库库存编号：APTC80DSK29T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 15A 156W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC80H29T1G
  仓库库存编号：APTC80H29T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 28A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 28A（Tc） 277W（Tc） SP1
  
  型号：APTC80SK15T1G
  仓库库存编号：APTC80SK15T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  RECT DIODE MODULE 3PH 1600V SP1
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 70A Chassis Mount SP1
  
  型号：APTDR70X1601G
  仓库库存编号：APTDR70X1601G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 300A 1400W D3
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 300A 1400W Chassis Mount D3
  
  型号：APTGF200DA120D3G
  仓库库存编号：APTGF200DA120D3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 300A 1400W D3
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 300A 1400W Chassis Mount D3
  
  型号：APTGF200SK120D3G
  仓库库存编号：APTGF200SK120D3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 460A 1400W D3
  详细描述：IGBT Module NPT Single 600V 460A 1400W Chassis Mount D3
  
  型号：APTGF330DA60D3G
  仓库库存编号：APTGF330DA60D3G-ND
  别名：APTGF330DA60D3GMP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 510A 2500W D4
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 510A 2500W Chassis Mount D4
  
  型号：APTGF400U120D4G
  仓库库存编号：APTGF400U120D4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4
  详细描述：IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 75A 312W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTGF50A120TG
  仓库库存编号：APTGF50A120TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1
  详细描述：IGBT Module NPT Half Bridge 600V 65A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTGF50A60T1G
  仓库库存编号：APTGF50A60T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 75A 312W SP4
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 75A 312W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTGF50DA120TG
  仓库库存编号：APTGF50DA120TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4
  详细描述：IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 600V 65A 250W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTGF50DH60TG
  仓库库存编号：APTGF50DH60TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT MODULE NPT DUAL SP4
  详细描述：IGBT Module NPT Dual, Common Source 1200V 75A 312W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTGF50DU120TG
  仓库库存编号：APTGF50DU120TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 75A 312W SP4
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 75A 312W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTGF50SK120TG
  仓库库存编号：APTGF50SK120TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 355W D1
  详细描述：IGBT Module NPT Single 600V 100A 355W Chassis Mount D1
  
  型号：APTGF75DA60D1G
  仓库库存编号：APTGF75DA60D1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 100A 355W D1
  详细描述：IGBT Module NPT Single 600V 100A 355W Chassis Mount D1
  
  型号：APTGF75SK60D1G
  仓库库存编号：APTGF75SK60D1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4
  详细描述：IGBT Module NPT Half Bridge 600V 110A 416W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTGF90A60TG
  仓库库存编号：APTGF90A60TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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