产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R190CFDAAKSA1
仓库库存编号：
IPP65R190CFDAAKSA1-ND
别名：SP000928266
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R150CFDAATMA1
仓库库存编号：
IPB65R150CFDAATMA1-ND
别名：SP000928270
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R150CFDAAKSA1
仓库库存编号：
IPP65R150CFDAAKSA1-ND
别名：SP000928272
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 20A（Tc） 122W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL60R104C7AUMA1
仓库库存编号：
IPL60R104C7AUMA1-ND
别名：SP001298008
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 330V 70A 160W TO220
详细描述：IGBT Trench 330V 70A 160W Through Hole TO-220AB
型号：
IRG6B330UDPBF
仓库库存编号：
IRG6B330UDPBF-ND
别名：SP001532524
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 21A（Tc） 128W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL65R099C7AUMA1
仓库库存编号：
IPL65R099C7AUMA1-ND
别名：SP001032722
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 110W TO247-3
详细描述：IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 30A 110W Through Hole PG-TO247-3
型号：
IKW15T120FKSA1
仓库库存编号：
IKW15T120FKSA1-ND
别名：IKW15T120
IKW15T120-ND
SP000013938
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R190CFDAFKSA1
仓库库存编号：
IPW65R190CFDAFKSA1-ND
别名：SP000928268
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R110CFDAATMA1
仓库库存编号：
IPB65R110CFDAATMA1-ND
别名：SP000896402
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 29A（Tc） 167W（Tc） PG-HSOF-8
型号：
IPT60R080G7XTMA1
仓库库存编号：
IPT60R080G7XTMA1-ND
别名：SP001615904
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB60R099CPAATMA1
仓库库存编号：
IPB60R099CPAATMA1TR-ND
别名：IPB60R099CPA
IPB60R099CPA-ND
SP000315443
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R150CFDAFKSA1
仓库库存编号：
IPW65R150CFDAFKSA1-ND
别名：SP000928274
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R099CPAAKSA1
仓库库存编号：
IPI60R099CPAAKSA1-ND
别名：IPI60R099CPA
IPI60R099CPA-ND
SP000315454
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R099CPAAKSA1
仓库库存编号：
IPP60R099CPAAKSA1-ND
别名：IPP60R099CPA
IPP60R099CPA-ND
SP000315418
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R110CFDAFKSA1
仓库库存编号：
IPW65R110CFDAFKSA1-ND
别名：SP000895236
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R099CPAFKSA1
仓库库存编号：
IPW60R099CPAFKSA1-ND
别名：SP000597860
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 120A 520W TO274AA
详细描述：IGBT 1200V 120A 520W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号：
IRG7PSH54K10DPBF
仓库库存编号：
IRG7PSH54K10DPBF-ND
别名：SP001545858
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 431W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R045CPAFKSA1
仓库库存编号：
IPW60R045CPAFKSA1-ND
别名：SP000539772
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECT BRIDGE 1000V 110A MTK
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1000V 110A Chassis Mount MTK
型号：
110MT100KB
仓库库存编号：
110MT100KB-ND
别名：*110MT100KB
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECT BRIDGE 1200V 110A MTK
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 110A Chassis Mount MTK
型号：
110MT120KB
仓库库存编号：
110MT120KB-ND
别名：*110MT120KB
VS-110MT120KB
VS-110MT120KB-ND
VS110MT120KB
VS110MT120KB-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECT BRIDGE 1400V 110A MTK
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1400V 110A Chassis Mount MTK
型号：
110MT140KB
仓库库存编号：
110MT140KB-ND
别名：*110MT140KB
VS-110MT140KB
VS-110MT140KB-ND
VS110MT140KB
VS110MT140KB-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECT BRIDGE 1600V 110A MTK
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 110A Chassis Mount MTK
型号：
110MT160KB
仓库库存编号：
110MT160KB-ND
别名：*110MT160KB
VS-110MT160KB
VS-110MT160KB-ND
VS-110MT160KBL
VS110MT160KB-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECT BRIDGE 800V 110A MTK
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 110A Chassis Mount MTK
型号：
110MT80KB
仓库库存编号：
110MT80KB-ND
别名：*110MT80KB
VS-110MT80KB
VS-110MT80KB-ND
VS110MT80KB
VS110MT80KB-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IC BRIDGE 3PH 1000V 130A MTK
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1000V 130A Chassis Mount MTK
型号：
130MT100KB
仓库库存编号：
130MT100KB-ND
别名：*130MT100KB
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IC BRIDGE 3PH 1200V 130A MTK
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 130A Chassis Mount MTK
型号：
130MT120KB
仓库库存编号：
130MT120KB-ND
别名：*130MT120KB
VS-130MT120KB
VS-130MT120KB-ND
VS130MT120KB
VS130MT120KB-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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