产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R660CFDAATMA1
仓库库存编号:
IPB65R660CFDAATMA1-ND
别名:SP000875794
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 18.5A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA50R190CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA50R190CEXKSA2-ND
别名:SP001364312
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 10.5A(Tc) 86W(Tc) PG-TO252
型号:
IPAW70R600CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW70R600CEXKSA1-ND
别名:SP001619370
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
详细描述:IGBT 1200V 9.6A 62.5W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号:
IKB03N120H2ATMA1
仓库库存编号:
IKB03N120H2ATMA1TR-ND
别名:IKB03N120H2
IKB03N120H2-ND
SP000014272
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R420CFDAATMA1
仓库库存编号:
IPD65R420CFDAATMA1-ND
别名:SP000928262
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.9A(Tc) 104.2W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R340CFDAUMA1
仓库库存编号:
IPL65R340CFDAUMA1-ND
别名:SP000949258
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 13.1A(Tc) 104W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R310E6AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R310E6AUMA1-ND
别名:SP000895216
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R660CFDAAKSA1
仓库库存编号:
IPP65R660CFDAAKSA1-ND
别名:SP000875802
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26.7A (Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R190CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R190CEXKSA1-ND
别名:SP001391612
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 10.8A(Ta) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R460CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA80R460CEXKSA2-ND
别名:SP001313396
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 3A 29W TO220-3
详细描述:IGBT 1200V 3A 29W Through Hole PG-TO220-3
型号:
IGA03N120H2XKSA1
仓库库存编号:
IGA03N120H2XKSA1-ND
别名:IGA03N120H2
IGA03N120H2-ND
SP000215371
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Tc) 96W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R299CPAATMA1
仓库库存编号:
IPB60R299CPAATMA1-ND
别名:SP000539970
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 11.4A(Tc) 104.2W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R310CFDAATMA1
仓库库存编号:
IPB65R310CFDAATMA1-ND
别名:SP000879440
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 13A(Tc) 77W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R185C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R185C7AUMA1-ND
别名:SP001296238
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 16.6A(Tc) 151W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R210CFDAUMA1
仓库库存编号:
IPL65R210CFDAUMA1-ND
别名:SP000949256
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 12A(Tc) 75W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R195C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R195C7AUMA1-ND
别名:SP001032726
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R190E6AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R190E6AUMA1-ND
别名:SP001074938
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
IGBT 600V 40A 166W TO263-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 156W Surface Mount PG-TO263-3
型号:
IKB20N60TAATMA1
仓库库存编号:
IKB20N60TAATMA1-ND
别名:SP000629372
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11.4A(Tc) 104.2W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R310CFDAAKSA1
仓库库存编号:
IPP65R310CFDAAKSA1-ND
别名:SP000879438
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 16A 70W TO247-3
详细描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 16A 70W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IGW08T120FKSA1
仓库库存编号:
IGW08T120FKSA1-ND
别名:IGW08T120
IGW08T120-ND
SP000013937
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 21.3A(Tc) 195W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R165CFDAUMA1
仓库库存编号:
IPL65R165CFDAUMA1-ND
别名:SP000949254
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 16A(Tc) 139W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R199CPAATMA1
仓库库存编号:
IPB60R199CPAATMA1-ND
别名:SP000539966
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R190CFDAATMA1
仓库库存编号:
IPB65R190CFDAATMA1-ND
别名:SP000928264
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
详细描述:IGBT 1200V 9.6A 62.5W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IGW03N120H2FKSA1
仓库库存编号:
IGW03N120H2FKSA1-ND
别名:IGW03N120H2
IGW03N120H2-ND
SP000014182
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 17A(Tc) 103W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R125C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R125C7AUMA1-ND
别名:SP001385066
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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