产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
详细描述：IGBT 1200V 3.2A 28W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IGD01N120H2BUMA1
仓库库存编号：
IGD01N120H2BUMA1TR-ND
别名：IGD01N120H2
IGD01N120H2-ND
SP000014523
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 5.4A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 500V 5.4A（Tc） 28W（Tc） TO-220 整包
型号：
IPA50R500CEXKSA2
仓库库存编号：
IPA50R500CEXKSA2-ND
别名：SP001217230
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 5A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 5A（Ta），15A（Tc） 2.2W（Ta）, 18W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF450NE7NH3XUMA1
仓库库存编号：
BSF450NE7NH3XUMA1-ND
别名：SP001019350
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 13A（Ta），50A（Tc） 2.8W（Ta）, 42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB104N08NP3GXUSA1
仓库库存编号：
BSB104N08NP3GXUSA1-ND
别名：SP001164330
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAW60R600CEXKSA1
仓库库存编号：
IPAW60R600CEXKSA1-ND
别名：SP001391618
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 28W（Tc） TO-252-3
型号：
IPD60R1K5CEATMA1
仓库库存编号：
IPD60R1K5CEATMA1CT-ND
别名：IPD60R1K5CEATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6.7A（Tc） 56.8W（Tc） Thin-PAK（5x6）
型号：
IPL65R650C6SATMA1
仓库库存编号：
IPL65R650C6SATMA1-ND
别名：SP001163082
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
详细描述：IGBT 1200V 3.2A 28W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号：
IGB01N120H2ATMA1
仓库库存编号：
IGB01N120H2ATMA1TR-ND
别名：IGB01N120H2
IGB01N120H2-ND
SP000014614
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9A（Ta），40A（Tc） 2.2W（Ta），43W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF134N10NJ3 G
仓库库存编号：
BSF134N10NJ3 GCT-ND
别名：BSF134N10NJ3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAW60R380CEXKSA1
仓库库存编号：
IPAW60R380CEXKSA1-ND
别名：SP001391616
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 63W（Tc） Thin-Pak（8x8）
型号：
IPL65R660E6AUMA1
仓库库存编号：
IPL65R660E6AUMA1-ND
别名：SP000895212
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 170A WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 170A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB012NE2LXIXUMA1
仓库库存编号：
BSB012NE2LXIXUMA1-ND
别名：SP001034232
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 700V 8.5A（Tc） 24.9W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAN70R600P7SXKSA1
仓库库存编号：
IPAN70R600P7SXKSA1-ND
别名：SP001682068
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 5.8A（Tc） 62.5W（Tc） Thin-Pak（8x8）
型号：
IPL65R725CFDAUMA1
仓库库存编号：
IPL65R725CFDAUMA1-ND
别名：SP000949266
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 700V 10.5A（Tc） 86W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS70R600CEAKMA1
仓库库存编号：
IPS70R600CEAKMA1-ND
别名：SP001407894
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R660CFDAATMA1
仓库库存编号：
IPD65R660CFDAATMA1-ND
别名：SP000928260
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
详细描述：IGBT 1200V 9.6A 62.5W Surface Mount PG-TO263-3
型号：
IGB03N120H2ATMA1
仓库库存编号：
IGB03N120H2ATMA1TR-ND
别名：IGB03N120H2
IGB03N120H2-ND
SP000014616
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 63W（Tc） TO-252-3
型号：
IPD60R650CEATMA1
仓库库存编号：
IPD60R650CEATMA1CT-ND
别名：IPD60R650CEATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 46A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB008NE2LXXUMA1
仓库库存编号：
BSB008NE2LXXUMA1-ND
别名：SP000880866
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.1A（Tc） 83W（Tc） Thin-Pak（8x8）
型号：
IPL65R420E6AUMA1
仓库库存编号：
IPL65R420E6AUMA1-ND
别名：SP000895214
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 8.3A（Tc） 83.3W（Tc） Thin-Pak（8x8）
型号：
IPL65R460CFDAUMA1
仓库库存编号：
IPL65R460CFDAUMA1-ND
别名：SP000949260
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V COOLMOS TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 700V 7.4A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252
型号：
IPAW70R950CEXKSA1
仓库库存编号：
IPAW70R950CEXKSA1-ND
别名：SP001619372
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 700V 12.5A（Tc） 26.5W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAN70R360P7SXKSA1
仓库库存编号：
IPAN70R360P7SXKSA1-ND
别名：SP001682066
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 19.3A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAW60R280CEXKSA1
仓库库存编号：
IPAW60R280CEXKSA1-ND
别名：SP001391614
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 9A（Ta），30A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB280N15NZ3GXUMA1
仓库库存编号：
BSB280N15NZ3GXUMA1CT-ND
别名：BSB280N15NZ3 GCT
BSB280N15NZ3 GCT-ND
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