产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.1A(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R1K5CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU60R1K5CEAKMA1-ND
别名:SP001369534
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.1A(Tc) 49W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU60R1K5CEAKMA2
仓库库存编号:
IPU60R1K5CEAKMA2-ND
别名:SP001396898
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.3A(Tc) PG-TO251
型号:
IPU60R1K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU60R1K0CEAKMA1-ND
别名:SP001369532
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.3A(Tc) 61W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU60R1K0CEAKMA2
仓库库存编号:
IPU60R1K0CEAKMA2-ND
别名:SP001396378
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 5.4A(Tc) 53W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSA70R1K4CEAKMA1
仓库库存编号:
IPSA70R1K4CEAKMA1-ND
别名:SP001605398
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 750V 7.4A(Tc) 5W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN70R1K0CEATMA1
仓库库存编号:
IPN70R1K0CEATMA1-ND
别名:SP001646912
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 4.3A(Tc) 37W(Tc) TO-251
型号:
IPS65R1K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS65R1K0CEAKMA1-ND
别名:SP001276048
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 82W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R650CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R650CEBTMA1-ND
别名:SP001369530
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 8.7A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSA70R950CEAKMA1
仓库库存编号:
IPSA70R950CEAKMA1-ND
别名:SP001605396
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7A(Tc) 86W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R650CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R650CEAUMA1-ND
别名:SP001396908
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.1A(Tc) 86W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R650CEATMA1
仓库库存编号:
IPD65R650CEATMA1-ND
别名:SP001295798
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.3A(Tc) 21.6W(Tc) Thin-PAK(5x6)
型号:
IPL60R2K1C6SATMA1
仓库库存编号:
IPL60R2K1C6SATMA1-ND
别名:SP001163026
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 10.5A(Tc) 86W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R600CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R600CEAUMA1-ND
别名:SP001466998
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 650V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 10.1A(Tc) 86W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS65R650CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS65R650CEAKMA1-ND
别名:SP001422888
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 10.5A(Tc) 86W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSA70R600CEAKMA1
仓库库存编号:
IPSA70R600CEAKMA1-ND
别名:SP001605364
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9.1A(Tc) 74W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R460CEATMA1
仓库库存编号:
IPD60R460CEATMA1CT-ND
别名:IPD60R460CEATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 22A(Ta),69A(Tc) 2.2W(Ta),28W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF035NE2LQXUMA1
仓库库存编号:
BSF035NE2LQXUMA1-ND
别名:SP001034234
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3A(Tc) 26.6W(Tc) Thin-PAK(5x6)
型号:
IPL60R1K5C6SATMA1
仓库库存编号:
IPL60R1K5C6SATMA1-ND
别名:SP001163010
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5A(Tc) 20W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R1K5CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R1K5CEXKSA1-ND
别名:SP001429420
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.1A(Tc) 26.4W(Tc) TO-220 整包
型号:
IPA50R800CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA50R800CEXKSA2-ND
别名:SP001217234
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 5.2A(Tc) 30W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R1K5CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R1K5CEXKSA1-ND
别名:SP001429484
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 3A(Tc) 26.6W(Tc) Thin-PAK(5x6)
型号:
IPL65R1K5C6SATMA1
仓库库存编号:
IPL65R1K5C6SATMA1-ND
别名:SP001163086
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R1K0CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R1K0CEXKSA1-ND
别名:SP001429478
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.6A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.6A(Tc) 27.2W(Tc) TO-220 整包
型号:
IPA50R650CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA50R650CEXKSA2-ND
别名:SP001217232
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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MOSFET N-CH 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 4.2A(Tc) 34.7W(Tc) Thin-PAK(5x6)
型号:
IPL65R1K0C6SATMA1
仓库库存编号:
IPL65R1K0C6SATMA1-ND
别名:SP001163084
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