产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 60A 1250W Chassis Mount SP6
型号：
APTM120A15FG
仓库库存编号：
APTM120A15FG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 600V 95A 462W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTC60TAM24TPG
仓库库存编号：
APTC60TAM24TPG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 171A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 171A（Tc） 5000W（Tc） SP6
型号：
APTM120UM70DAG
仓库库存编号：
APTM120UM70DAG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 800A 2604W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 800A 2604W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB400TH120N
仓库库存编号：
VS-GB400TH120N-ND
别名：VSGB400TH120N
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 497A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 497A（Tc） 5000W（Tc） SP6
型号：
APTM50UM09FAG
仓库库存编号：
APTM50UM09FAG-ND
别名：APTM50UM09FAGMI
APTM50UM09FAGMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 600V 116A 625W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTC60TAM21SCTPAG
仓库库存编号：
APTC60TAM21SCTPAG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 116A（Tc） 3290W（Tc） SP6
型号：
APTM120U10SCAVG
仓库库存编号：
APTM120U10SCAVG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTM100TA35SCTPG
仓库库存编号：
APTM100TA35SCTPG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 200A 833W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB100LH120N
仓库库存编号：
VS-GB100LH120N-ND
别名：VSGB100LH120N
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 215A（Tc） 5000W（Tc） SP6
型号：
APTM100UM45FAG
仓库库存编号：
APTM100UM45FAG-ND
别名：APTM100UM45FAGMI
APTM100UM45FAGMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 145A（Tc） 3250W（Tc） SP6
型号：
APTM100UM65SCAVG
仓库库存编号：
APTM100UM65SCAVG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 171A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 171A（Tc） 5000W（Tc） SP6
型号：
APTM120UM70FAG
仓库库存编号：
APTM120UM70FAG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 200A 1136W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB100TH120U
仓库库存编号：
VS-GB100TH120U-ND
别名：VSGB100TH120U
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 600V 260A 1042W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GA200TH60S
仓库库存编号：
VS-GA200TH60S-ND
别名：VSGA200TH60S
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (Three Level Inverter) 1200V (1.2kV) 55A 250W Chassis Mount SP3
型号：
APTMC60TLM55CT3AG
仓库库存编号：
APTMC60TLM55CT3AG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 370A 1562W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 370A 1562W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB200LH120N
仓库库存编号：
VS-GB200LH120N-ND
别名：VSGB200LH120N
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 420A 1562W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 420A 1562W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB200NH120N
仓库库存编号：
VS-GB200NH120N-ND
别名：VSGB200NH120N
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 620A 2500W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 620A 2500W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB300AH120N
仓库库存编号：
VS-GB300AH120N-ND
别名：VSGB300AH120N
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 650A 2500W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 650A 2500W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB400AH120N
仓库库存编号：
VS-GB400AH120N-ND
别名：VSGB400AH120N
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1
详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1200V (1.2kV) 143A 600W Chassis Mount SP1
型号：
APTMC120AM20CT1AG
仓库库存编号：
APTMC120AM20CT1AG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1700V 53A SP1
详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1700V (1.7kV) 53A 350W Chassis Mount SP1
型号：
APTMC170AM60CT1AG
仓库库存编号：
APTMC170AM60CT1AG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MODULE THY 430A SMAGN-A-PAK
详细描述：SCR Module 2000V 675A Series Connection - All SCRs Chassis Mount SUPER MAGN-A-PAK
型号：
VS-VSKT430-20PBF
仓库库存编号：
VS-VSKT430-20PBF-ND
别名：VSVSKT43020PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F
详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1200V (1.2kV) 220A 925W Chassis Mount SP3
型号：
APTMC120AM12CT3AG
仓库库存编号：
APTMC120AM12CT3AG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1700V 106A SP1
详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1700V (1.7kV) 106A 700W Chassis Mount SP1
型号：
APTMC170AM30CT1AG
仓库库存编号：
APTMC170AM30CT1AG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F
详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1200V (1.2kV) 295A 1250W Chassis Mount SP3
型号：
APTMC120AM09CT3AG
仓库库存编号：
APTMC120AM09CT3AG-ND
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