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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 100V 278A 780W Chassis Mount SP6
  
  型号：APTM10DHM05G
  仓库库存编号：APTM10DHM05G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT MODULE 1200V 250A
  详细描述：IGBT Module PT Half Bridge 1200V 360A 1100W Chassis Mount Module
  
  型号：MIXA225PF1200TSF
  仓库库存编号：MIXA225PF1200TSF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM100H35FTG
  仓库库存编号：APTM100H35FTG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 495A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 495A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM10DAM02G
  仓库库存编号：APTM10DAM02G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 495A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 495A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM10SKM02G
  仓库库存编号：APTM10SKM02G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  DIODE BRIDGE 174A 1400V PWS-E-1
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1400V 174A Chassis Mount PWS-E
  
  型号：VBO160-14NO7
  仓库库存编号：VBO160-14NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 1200V 300A 1389W INT-A-PAK
  详细描述：IGBT Module Single 1200V 300A 1389W Chassis Mount Double INT-A-PAK
  
  型号：VS-GB150LH120N
  仓库库存编号：VS-GB150LH120N-ND
  别名：VSGB150LH120N
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1700V 400A 1660W SP6
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 400A 1660W Chassis Mount SP6
  
  型号：APTGT300DA170G
  仓库库存编号：APTGT300DA170G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1700V 400A 1660W SP6
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 400A 1660W Chassis Mount SP6
  
  型号：APTGT300SK170G
  仓库库存编号：APTGT300SK170G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 34A 780W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM120A29FTG
  仓库库存编号：APTM120A29FTG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Triple, Dual - Common Source 1700V 70A 310W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTGT50TDU170PG
  仓库库存编号：APTGT50TDU170PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOD IGBT 3PHASE LEG SP6
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Phase 1200V 100A 350W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTGT75TA120PG
  仓库库存编号：APTGT75TA120PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  RECT BRIDGE 3PH 220V 135A E2
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase (Braking) 2200V 150A Chassis Mount E2
  
  型号：VUB135-22NO1
  仓库库存编号：VUB135-22NO1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 600V 72A 416W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTC60TAM35PG
  仓库库存编号：APTC60TAM35PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOD IGBT BUCK 1200V 330A Y3-DCB
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 330A 1380W Chassis Mount Y3-DCB
  
  型号：MDI300-12A4
  仓库库存编号：MDI300-12A4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOD IGBT RBSOA 1200V 330A Y3-DCB
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 330A 1380W Chassis Mount Y3-DCB
  
  型号：MID300-12A4
  仓库库存编号：MID300-12A4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 180A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 180A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM50DAM17G
  仓库库存编号：APTM50DAM17G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 180A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 180A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM50SKM17G
  仓库库存编号：APTM50SKM17G-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTM10TDUM09PG
  仓库库存编号：APTM10TDUM09PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 46A 357W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM50HM75SCTG
  仓库库存编号：APTM50HM75SCTG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT MODULE 1200V 84A
  详细描述：IGBT Module PT Three Phase Inverter with Brake 1200V 120A 390W Chassis Mount E3
  
  型号：MIXA81WB1200TEH
  仓库库存编号：MIXA81WB1200TEH-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 372A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 372A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM20DAM04G
  仓库库存编号：APTM20DAM04G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 78A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM100DAM90G
  仓库库存编号：APTM100DAM90G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 78A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM100SKM90G
  仓库库存编号：APTM100SKM90G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTC90AM60SCTG
  仓库库存编号：APTC90AM60SCTG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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