产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 1700V 340A 1250W SP6
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 340A 1250W Chassis Mount SP6
型号:
APTGT225SK170G
仓库库存编号:
APTGT225SK170G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 200V 208A 781W Chassis Mount SP4
型号:
APTM20AM08FTG
仓库库存编号:
APTM20AM08FTG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
RECT BRIDGE 3PH 175A 1600V E2
详细描述:SCR Module 1600V Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode Chassis Mount E2
型号:
VVZB170-16NO1
仓库库存编号:
VVZB170-16NO1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 200V 104A SP4
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 200V 104A 390W Chassis Mount SP4
型号:
APTM20HM16FTG
仓库库存编号:
APTM20HM16FTG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
POWER MOD 3PH BRIDGE 55A MTK
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1600V 90A Chassis Mount MT-K
型号:
VS-93MT160KS90PBF
仓库库存编号:
VS-93MT160KS90PBF-ND
别名:VS93MT160KS90PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1700V 150A 560W Chassis Mount SP6
型号:
APTGT100DH170G
仓库库存编号:
APTGT100DH170G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500V 99A 781W Chassis Mount SP4
型号:
APTM50AM35FTG
仓库库存编号:
APTM50AM35FTG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 500V 51A SP4
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 51A 390W Chassis Mount SP4
型号:
APTM50HM65FTG
仓库库存编号:
APTM50HM65FTG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 600V 49A SP4
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 49A 250W Chassis Mount SP4
型号:
APTC60HM45SCTG
仓库库存编号:
APTC60HM45SCTG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4
详细描述:Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 600V 95A 462W Chassis Mount SP4
型号:
APTC60AM24SCTG
仓库库存编号:
APTC60AM24SCTG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 163A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 163A (Tc) 1136W(Tc) SP6
型号:
APTM50DAM19G
仓库库存编号:
APTM50DAM19G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 163A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 163A (Tc) 1136W(Tc) SP6
型号:
APTM50SKM19G
仓库库存编号:
APTM50SKM19G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 560A 1785W SP6
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 560A 1785W Chassis Mount SP6
型号:
APTGT400DA120G
仓库库存编号:
APTGT400DA120G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 560A 1785W SP6
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 560A 1785W Chassis Mount SP6
型号:
APTGT400SK120G
仓库库存编号:
APTGT400SK120G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 1700V 530A 1470W D3
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 530A 1470W Chassis Mount D3
型号:
APTGT300DA170D3G
仓库库存编号:
APTGT300DA170D3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 1700V 530A 1470W D3
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 530A 1470W Chassis Mount D3
型号:
APTGT300SK170D3G
仓库库存编号:
APTGT300SK170D3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 140A 480W Chassis Mount SP6
型号:
APTGT100H120G
仓库库存编号:
APTGT100H120G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 600A 2250W D4
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 600A 2250W Chassis Mount D4
型号:
APTGT400U120D4G
仓库库存编号:
APTGT400U120D4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 500V 90A 694W Chassis Mount SP6
型号:
APTM50DHM38G
仓库库存编号:
APTM50DHM38G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 300A 1040W Chassis Mount D3
型号:
APTGT200A120D3G
仓库库存编号:
APTGT200A120D3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
型号:
APTGT200DH120G
仓库库存编号:
APTGT200DH120G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 317A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 317A(Tc) 1136W(Tc) SP6
型号:
APTM20DAM05G
仓库库存编号:
APTM20DAM05G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 317A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 317A(Tc) 1136W(Tc) SP6
型号:
APTM20SKM05G
仓库库存编号:
APTM20SKM05G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 43A 780W Chassis Mount SP4
型号:
APTM100A18FTG
仓库库存编号:
APTM100A18FTG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 71A(Tc) 300W(Tc) SOT-227
型号:
APT50MC120JCU2
仓库库存编号:
APT50MC120JCU2-ND
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