产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IC BRIDGE 3PH 160A 1000V MTK
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1000V 130A Chassis Mount MT-K
型号：
VS-160MT100KPBF
仓库库存编号：
VS-160MT100KPBF-ND
别名：VS160MT100KPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 1600V 180A
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase (Braking) 1600V 180A PCB, Through Hole Module
型号：
VUB120-16NOX
仓库库存编号：
VUB120-16NOX-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTC80TA15PG
仓库库存编号：
APTC80TA15PG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTC80TDU15PG
仓库库存编号：
APTC80TDU15PG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP4
型号：
APTC80A15SCTG
仓库库存编号：
APTC80A15SCTG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 280A 890W SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT200DA120G
仓库库存编号：
APTGT200DA120G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 280A 890W SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT200SK120G
仓库库存编号：
APTGT200SK120G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 1600V 120A
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase (Braking) 1600V 120A Chassis Mount Module
型号：
VUB116-16NOXT
仓库库存编号：
VUB116-16NOXT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IC BRIDGE 3PH 160A 1400V MTK
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1400V 160A Chassis Mount MT-K
型号：
VS-160MT140KPBF
仓库库存编号：
VS-160MT140KPBF-ND
别名：VS160MT140KPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT MODULE 1200V 250A
详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 360A 1100W Chassis Mount Module
型号：
MIXA225RF1200TSF
仓库库存编号：
MIXA225RF1200TSF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 174A 1800V PWS-E-1
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1800V 174A Chassis Mount PWS-E
型号：
VBO160-18NO7
仓库库存编号：
VBO160-18NO7-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 105A 500W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 105A 500W Chassis Mount INT-A-PAK
型号：
VS-GB75TP120U
仓库库存编号：
VS-GB75TP120U-ND
别名：VSGB75TP120U
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 1600V 180A
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase (Braking) 1600V 180A PCB, Through Hole Module
型号：
VUB120-16NOXT
仓库库存编号：
VUB120-16NOXT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP3
型号：
APTM10HM09FT3G
仓库库存编号：
APTM10HM09FT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 110A 357W Chassis Mount SP4
型号：
APTGT75H120TG
仓库库存编号：
APTGT75H120TG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IC BRIDGE 3PH 1000V 130A MTK
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1000V 130A Chassis Mount MT-K
型号：
VS-130MT100KPBF
仓库库存编号：
VS-130MT100KPBF-ND
别名：VS130MT100KPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
POWER MOD 3PH BRIDGE 55A MTK
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 90A Chassis Mount MT-K
型号：
VS-90MT80KPBF
仓库库存编号：
VS-90MT80KPBF-ND
别名：VS90MT80KPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
DIODE BRIDGE 1600V 180A
详细描述：SCR Module 1600V Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode Chassis Mount V2-PAK
型号：
VVZB120-16IOX
仓库库存编号：
VVZB120-16IOX-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
IGBT 1700V 250A 890W SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 250A 890W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT150SK170G
仓库库存编号：
APTGT150SK170G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOD IGBT RBSOA 1200V 160A Y4-M5
详细描述：IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 160A 700W Chassis Mount Y4-M5
型号：
MII145-12A3
仓库库存编号：
MII145-12A3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
DIODE BRIDGE 1600V 180A
详细描述：SCR Module 1600V Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode Chassis Mount E2
型号：
VVZB170-16IOXT
仓库库存编号：
VVZB170-16IOXT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 500V 46A SP3
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 46A 357W Chassis Mount SP3
型号：
APTM50HM75FT3G
仓库库存编号：
APTM50HM75FT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
DIODE BRIDGE 122A 1400V FO-A
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1400V 122A Chassis Mount PWS-E1
型号：
VBO130-14NO7
仓库库存编号：
VBO130-14NO7-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
DIODE BRIDGE 124A 1800V PWS-C
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1800V 124A Chassis Mount PWS-C
型号：
VBO125-18NO7
仓库库存编号：
VBO125-18NO7-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 800V 42A 416W Chassis Mount SP4
型号：
APTC80A10SCTG
仓库库存编号：
APTC80A10SCTG-ND
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