以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  RECT BRIDGE 3PH 1800V PWS-E-1
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1800V 175A Chassis Mount PWS-E1
  
  型号：VUO160-18NO7
  仓库库存编号：VUO160-18NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3F
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 95A 462W SP3
  
  型号：APTC60BBM24T3G
  仓库库存编号：APTC60BBM24T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2
  详细描述：IGBT Module NPT Three Phase Inverter 600V 72A 225W Chassis Mount E2
  
  型号：MWI50-06A7T
  仓库库存编号：MWI50-06A7T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 208A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 208A（Tc） 781W（Tc） SP4
  
  型号：APTM20DAM08TG
  仓库库存编号：APTM20DAM08TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 208A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 208A（Tc） 781W（Tc） SP4
  
  型号：APTM20SKM08TG
  仓库库存编号：APTM20SKM08TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 15A 156W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTC80H29SCTG
  仓库库存编号：APTC80H29SCTG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 43A（Tc） 780W（Tc） SP4
  
  型号：APTM100DA18TG
  仓库库存编号：APTM100DA18TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 43A（Tc） 780W（Tc） SP4
  
  型号：APTM100SK18TG
  仓库库存编号：APTM100SK18TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 150A 560W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTGT100A170TG
  仓库库存编号：APTGT100A170TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC90H12T1G
  仓库库存编号：APTC90H12T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC90AM60T1G
  仓库库存编号：APTC90AM60T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP2
  
  型号：APTC90AM602G
  仓库库存编号：APTC90AM602G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 600V 72A SP3
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 72A 416W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC60HM35T3G
  仓库库存编号：APTC60HM35T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  DIODE BRIDGE 174A 800V PWS-E-1
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 174A Chassis Mount PWS-E
  
  型号：VBO160-08NO7
  仓库库存编号：VBO160-08NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  RECT BRIDGE 3PH 1600V V2-PACK
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 121A Chassis Mount V2-PAK
  
  型号：VUO120-16NO1
  仓库库存编号：VUO120-16NO1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2
  详细描述：IGBT Module NPT Three Phase Inverter 600V 90A 280W Chassis Mount E2
  
  型号：MWI75-06A7T
  仓库库存编号：MWI75-06A7T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2
  详细描述：IGBT Module NPT Three Phase Inverter 600V 90A 280W Chassis Mount E2
  
  型号：MWI75-06A7
  仓库库存编号：MWI75-06A7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 75A 277W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTGT50H120TG
  仓库库存编号：APTGT50H120TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2
  详细描述：IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 62A 280W Chassis Mount E2
  
  型号：MWI35-12A7
  仓库库存编号：MWI35-12A7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  DIODE BRIDGE 1400V 107A PWS-C
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1400V 107A Chassis Mount PWS-C
  
  型号：VBO105-14NO7
  仓库库存编号：VBO105-14NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  DIODE BRIDGE 124A 1400V PWS-C
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1400V 124A Chassis Mount PWS-C
  
  型号：VBO125-14NO7
  仓库库存编号：VBO125-14NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 59A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 59A（Tc） 462W（Tc） SP1
  
  型号：APTC90DAM60CT1G
  仓库库存编号：APTC90DAM60CT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 59A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 59A（Tc） 462W（Tc） SP1
  
  型号：APTC90SKM60CT1G
  仓库库存编号：APTC90SKM60CT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2
  详细描述：IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 62A 280W Chassis Mount E2
  
  型号：MWI35-12A7T
  仓库库存编号：MWI35-12A7T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 120A 138W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTM08TAM04PG
  仓库库存编号：APTM08TAM04PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索