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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE STD REC 1600V 75A 3PH
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 75A Chassis Mount 5-SMD
  
  型号：M3P75A-160
  仓库库存编号：M3P75A-160GN-ND
  别名：M3P75A-160GN
  M3P75A160
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE STD REC 800V 75A 3PH
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 75A Chassis Mount 5-SMD
  
  型号：M3P75A-80
  仓库库存编号：M3P75A-80GN-ND
  别名：M3P75A-80GN
  M3P75A80
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 37A 312W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM50DDA10T3G
  仓库库存编号：APTM50DDA10T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 37A 312W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM50DSK10T3G
  仓库库存编号：APTM50DSK10T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 75A 312W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTGT50A170T1G
  仓库库存编号：APTGT50A170T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOD IGBT H-BRIDGE 600V ECO-PAC2
  详细描述：IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 600V 42.5A 130W Chassis Mount ECO-PAC2
  
  型号：VKI50-06P1
  仓库库存编号：VKI50-06P1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 36A MODULE
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 36A 250W Chassis Mount Module
  
  型号：APTC60HM83FT2G
  仓库库存编号：APTC60HM83FT2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  RECT BRIDGE 3PH 58A 1800V PWS-B
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1800V 58A Chassis Mount PWS-B
  
  型号：VUO55-18NO7
  仓库库存编号：VUO55-18NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP1
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 110A 357W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTGT75A120T1G
  仓库库存编号：APTGT75A120T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 55A 208W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTGT35H120T3G
  仓库库存编号：APTGT35H120T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
  详细描述：Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 36A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC60AM83B1G
  仓库库存编号：APTC60AM83B1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1700V 75A 312W SP4
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 75A 312W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTGT50DA170TG
  仓库库存编号：APTGT50DA170TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1700V 75A 312W SP4
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 75A 312W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTGT50SK170TG
  仓库库存编号：APTGT50SK170TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  RECT BRIDGE 100A 1400V FO-T-A
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1400V 100A Chassis Mount FO-T-A
  
  型号：VUO100-14NO7
  仓库库存编号：VUO100-14NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTCV40H60CT1G
  仓库库存编号：APTCV40H60CT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
  详细描述：Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 36A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC60AM83BC1G
  仓库库存编号：APTC60AM83BC1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  DIODE BRIDGE 50A 1800V PWS-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1800V 50A Chassis Mount PWS-A
  
  型号：VBO50-18NO7
  仓库库存编号：VBO50-18NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 39A 250W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC60HM70T3G
  仓库库存编号：APTC60HM70T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 1200V 30A 187W MTP
  详细描述：IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 30A 187W Chassis Mount MTP
  
  型号：VS-GB15XP120KTPBF
  仓库库存编号：VS-GB15XP120KTPBF-ND
  别名：VSGB15XP120KTPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT MODULE 1200V 150A HEX
  详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 220A 695W Chassis Mount V1A-PAK
  
  型号：MIXA150Q1200VA
  仓库库存编号：MIXA150Q1200VA-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT MODULE 1200V 150A HEX
  详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 220A 695W Chassis Mount V1A-PAK
  
  型号：MIXA150R1200VA
  仓库库存编号：MIXA150R1200VA-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD IGBT 1200V 110A SP2
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 110A 357W Chassis Mount SP2
  
  型号：APTGT75A1202G
  仓库库存编号：APTGT75A1202G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  DIODE BRIDGE 1800V 65A FO-T-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1800V 65A Chassis Mount FO-T-A
  
  型号：VBO65-18NO7
  仓库库存编号：VBO65-18NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  RECT BRIDGE 100A 1600V FO-T-A
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 100A Chassis Mount FO-T-A
  
  型号：VUO100-16NO7
  仓库库存编号：VUO100-16NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP
  详细描述：IGBT Module Through Hole IMS-2
  
  型号：VS-CPV363M4FPBF
  仓库库存编号：VS-CPV363M4FPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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