产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
DIODE BRIDGE 1600V 100A SM3
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1600V 100A Chassis Mount M3
型号:
MSD100-16
仓库库存编号:
MSD100-16-ND
别名:MSD100-16MP
MSD100-16MP-ND
MSD10016
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 75A 277W SP4
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 75A 277W Chassis Mount SP4
型号:
APTGT50DA120TG
仓库库存编号:
APTGT50DA120TG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 75A 277W SP4
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 75A 277W Chassis Mount SP4
型号:
APTGT50SK120TG
仓库库存编号:
APTGT50SK120TG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
RECT BRIDGE 3PH 1200V V1-A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase (Braking) 1200V 110A Chassis Mount V1-A
型号:
VUB72-12NO1
仓库库存编号:
VUB72-12NO1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 95A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC60DAM24T1G
仓库库存编号:
APTC60DAM24T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 50A 1600V PWS-A
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1600V 50A Chassis Mount PWS-A
型号:
VBO50-16NO7
仓库库存编号:
VBO50-16NO7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
RECT BRIDGE 3PH 58A 1600V PWS-B
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1600V 58A Chassis Mount PWS-B
型号:
VUO55-16NO7
仓库库存编号:
VUO55-16NO7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP1
型号:
APTC80H15T1G
仓库库存编号:
APTC80H15T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC60DDAM45T1G
仓库库存编号:
APTC60DDAM45T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC60DSKM45T1G
仓库库存编号:
APTC60DSKM45T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC60VDAM45T1G
仓库库存编号:
APTC60VDAM45T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
RECT BRIDGE 3PH 85A 1400V FO-T-A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1400V 85A Chassis Mount FO-T-A
型号:
VUO85-14NO7
仓库库存编号:
VUO85-14NO7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP3
型号:
APTC80H15T3G
仓库库存编号:
APTC80H15T3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
RECT BRIDGE 100A 1200V FO-T-A
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1200V 100A Chassis Mount FO-T-A
型号:
VUO100-12NO7
仓库库存编号:
VUO100-12NO7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 72A 416W Chassis Mount SP1
型号:
APTC60AM35T1G
仓库库存编号:
APTC60AM35T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 39A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC60HM70T1G
仓库库存编号:
APTC60HM70T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 109A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 109A(Tc) 480W(Tc) SP1
型号:
APTML20UM18R010T1AG
仓库库存编号:
APTML20UM18R010T1AG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOD IGBT 1200V 75A SP3
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 75A 277W Chassis Mount SP3
型号:
APTGT50DH120T3G
仓库库存编号:
APTGT50DH120T3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 154A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 154A(Tc) 480W(Tc) SP1
型号:
APTML10UM09R004T1AG
仓库库存编号:
APTML10UM09R004T1AG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2
详细描述:Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 600V 66A 416W Chassis Mount SP2
型号:
APTC60AM42F2G
仓库库存编号:
APTC60AM42F2G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 110A 357W SP4
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount SP4
型号:
APTGT75DA120TG
仓库库存编号:
APTGT75DA120TG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 110A 357W SP4
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount SP4
型号:
APTGT75SK120TG
仓库库存编号:
APTGT75SK120TG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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GeneSiC Semiconductor
DIODE STD REC 1000V 75A 3PH
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1000V 75A Chassis Mount 5-SMD
型号:
M3P75A-100
仓库库存编号:
M3P75A-100GN-ND
别名:M3P75A-100GN
M3P75A100
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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GeneSiC Semiconductor
DIODE STD REC 1200V 75A 3PH
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1200V 75A Chassis Mount 5-SMD
型号:
M3P75A-120
仓库库存编号:
M3P75A-120GN-ND
别名:M3P75A-120GN
M3P75A120
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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GeneSiC Semiconductor
DIODE STD REC 1400V 75A 3PH
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1400V 75A Chassis Mount 5-SMD
型号:
M3P75A-140
仓库库存编号:
M3P75A-140GN-ND
别名:M3P75A-140GN
M3P75A140
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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