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• IXYS
  RECT BRIDGE 3PH 88A 1400V PWS-D
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1400V 88A Chassis Mount PWS-D
  
  型号：VUO82-14NO7
  仓库库存编号：VUO82-14NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 45A 210W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTGT30A170T1G
  仓库库存编号：APTGT30A170T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  RECT BRIDGE 3PH 54A 2000V V1-A
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 2000V 54A Chassis Mount V1-A
  
  型号：VUO52-20NO1
  仓库库存编号：VUO52-20NO1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTM60H23FT1G
  仓库库存编号：APTM60H23FT1G-ND
  别名：APTM60H23UT1G
  APTM60H23UT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  RECT BRIDGE 3PH 70A 1400V FO-T-A
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1400V 70A Chassis Mount FO-T-A
  
  型号：VUO70-14NO7
  仓库库存编号：VUO70-14NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  DIODE BRIDGE 1800V 72A PWS-D
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1800V 72A Chassis Mount PWS-D
  
  型号：VBO72-18NO7
  仓库库存编号：VBO72-18NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  RECT BRIDGE 3PH 88A 1800V PWS-D
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1800V 88A Chassis Mount PWS-D
  
  型号：VUO82-18NO7
  仓库库存编号：VUO82-18NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  DIODE BRIDGE 50A 800V PWS-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 50A Chassis Mount PWS-A
  
  型号：VBO50-08NO7
  仓库库存编号：VBO50-08NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  DIODE BRIDGE 1400V 65A FO-T-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1400V 65A Chassis Mount FO-T-A
  
  型号：VBO65-14NO7
  仓库库存编号：VBO65-14NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 40A 390W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTM60A11FT1G
  仓库库存编号：APTM60A11FT1G-ND
  别名：APTM60A11UT1G
  APTM60A11UT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD IGBT 1200V 75A SP2
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 75A 277W Chassis Mount SP2
  
  型号：APTGT50A1202G
  仓库库存编号：APTGT50A1202G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 800V 28A 277W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC80DDA15T3G
  仓库库存编号：APTC80DDA15T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 800V 28A 277W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC80DSK15T3G
  仓库库存编号：APTC80DSK15T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT33N90JCCU2
  仓库库存编号：APT33N90JCCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM10DDAM19T3G
  仓库库存编号：APTM10DDAM19T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM10DSKM19T3G
  仓库库存编号：APTM10DSKM19T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  DIODE BRIDGE 1600V 72A PWS-D
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1600V 72A Chassis Mount PWS-D
  
  型号：VBO72-16NO7
  仓库库存编号：VBO72-16NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  DIODE BRIDGE 1600V 90A
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 90A Chassis Mount PWS-D-Flat
  
  型号：VUO84-16NO7
  仓库库存编号：VUO84-16NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  DIODE BRIDGE 1200V 65A FO-T-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 65A Chassis Mount FO-T-A
  
  型号：VBO65-12NO7
  仓库库存编号：VBO65-12NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  DIODE BRIDGE 45A 1800V FO-T-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1800V 45A Chassis Mount FO-T-A
  
  型号：VBO45-18NO7
  仓库库存编号：VBO45-18NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  DIODE BRIDGE 1200V 75A
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase (Braking) 1200V 75A Chassis Mount V1A-PAK
  
  型号：VUB72-12NOXT
  仓库库存编号：VUB72-12NOXT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 134A 463W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：VS-GT105LA120UX
  仓库库存编号：VS-GT105LA120UX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227
  详细描述：IGBT Module Trench Single 1200V 134A 463W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：VS-GT105NA120UX
  仓库库存编号：VS-GT105NA120UX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  DIODE BRIDGE 1600V 65A FO-T-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1600V 65A Chassis Mount FO-T-A
  
  型号：VBO65-16NO7
  仓库库存编号：VBO65-16NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  DIODE BRIDGE 50A 1200V PWS-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 50A Chassis Mount PWS-A
  
  型号：VBO50-12NO7
  仓库库存编号：VBO50-12NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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