以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 50A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT50N60JCCU2
  仓库库存编号：APT50N60JCCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  DIODE BRIDGE FAST 2000V V1-A-PAK
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 2000V 20A Chassis Mount V1A-PAK
  
  型号：VBE20-20NO1
  仓库库存编号：VBE20-20NO1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 55A 208W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTGT35A120T1G
  仓库库存编号：APTGT35A120T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  RECT BRIDGE 3PH 63A 1400V PWS-D
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1400V 63A Chassis Mount PWS-D
  
  型号：VUO62-14NO7
  仓库库存编号：VUO62-14NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  DIODE BRIDGE 35A 1400V PWS-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1400V 35A Chassis Mount PWS-A
  
  型号：VBO30-14NO7
  仓库库存编号：VBO30-14NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  DIODE BRIDGE FAST 600V ECO-PAC2
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 600V 130A Chassis Mount ECO-PAC2
  
  型号：VUE130-06NO7
  仓库库存编号：VUE130-06NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 15A 156W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC80H29T3G
  仓库库存编号：APTC80H29T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 26A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT26M100JCU2
  仓库库存编号：APT26M100JCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 26A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT26M100JCU3
  仓库库存编号：APT26M100JCU3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  RECT BRIDGE 3PH 82A 1600V V1-A
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 82A Chassis Mount V1-A
  
  型号：VUO80-16NO1
  仓库库存编号：VUO80-16NO1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  DIODE BRIDGE 45A 1200V FO-T-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 45A Chassis Mount FO-T-A
  
  型号：VBO45-12NO7
  仓库库存编号：VBO45-12NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  DIODE BRIDGE 800V 72A PWS-D
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 72A Chassis Mount PWS-D
  
  型号：VBO72-08NO7
  仓库库存编号：VBO72-08NO7-ND
  别名：482102
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  RECT BRIDGE 3PH 88A 800V PWS-D
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 88A Chassis Mount PWS-D
  
  型号：VUO82-08NO7
  仓库库存编号：VUO82-08NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  DIODE BRIDGE 52A 1600V PWS-D
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1600V 52A Chassis Mount PWS-D
  
  型号：VBO52-16NO7
  仓库库存编号：VBO52-16NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  DIODE BRIDGE 1600V 60A
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 60A Chassis Mount PWS-D-Flat
  
  型号：VUO64-16NO7
  仓库库存编号：VUO64-16NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2
  详细描述：IGBT Module Three Phase Inverter 600V 8.8A 23W Through Hole IMS-2
  
  型号：CPV362M4F
  仓库库存编号：CPV362M4F-ND
  别名：*CPV362M4F
  VS-CPV362M4F
  VS-CPV362M4F-ND
  VSCPV362M4F
  VSCPV362M4F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2
  详细描述：IGBT Module Three Phase Inverter 600V 5.7A 23W Through Hole IMS-2
  
  型号：CPV362M4K
  仓库库存编号：CPV362M4K-ND
  别名：*CPV362M4K
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2
  详细描述：IGBT Module Three Phase Inverter 600V 7.2A 23W Through Hole IMS-2
  
  型号：CPV362M4U
  仓库库存编号：CPV362M4U-ND
  别名：*CPV362M4U
  VS-CPV362M4U
  VS-CPV362M4U-ND
  VSCPV362M4U
  VSCPV362M4U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 20A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT20M120JCU2
  仓库库存编号：APT20M120JCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 20A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT20M120JCU3
  仓库库存编号：APT20M120JCU3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  RECT BRIDGE 3PH 1200V ECOPAC2
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase (Braking) 1200V 56A Chassis Mount ECO-PAC2
  
  型号：VUB50-12PO1
  仓库库存编号：VUB50-12PO1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  DIODE BRIDGE FAST 1200V ECO-PAC2
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 130A Chassis Mount ECO-PAC2
  
  型号：VUE130-12NO7
  仓库库存编号：VUE130-12NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 600V 39A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC60DDAM70T1G
  仓库库存编号：APTC60DDAM70T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 600V 39A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC60DSKM70T1G
  仓库库存编号：APTC60DSKM70T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  RECT BRIDGE 3PH 82A 1800V V1-A
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1800V 82A Chassis Mount V1-A
  
  型号：VUO80-18NO1
  仓库库存编号：VUO80-18NO1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索