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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 1200V 55A LS CHOPPER SOT227
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 84A 431W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：VS-GB55LA120UX
  仓库库存编号：VS-GB55LA120UX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 1200V 55A HS CHOPPER SOT227
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 84A 431W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：VS-GB55NA120UX
  仓库库存编号：VS-GB55NA120UX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  DIODE BRIDGE 31A 1400V AVAL FO-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1400V 38A QC Terminal FO-A
  
  型号：VBO25-14AO2
  仓库库存编号：VBO25-14AO2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2
  详细描述：IGBT Module Three Phase Inverter 600V 13A 36W Through Hole IMS-2
  
  型号：CPV363M4U
  仓库库存编号：CPV363M4U-ND
  别名：*CPV363M4U
  VS-CPV363M4U
  VS-CPV363M4U-ND
  VSCPV363M4U
  VSCPV363M4U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  BRIDGE RECT SGL PHASE 1600V 38A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1600V 38A QC Terminal FO-A
  
  型号：VBO25-16AO2
  仓库库存编号：VBO25-16AO2-ND
  别名：Q2602191
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  RECT BRIDGE 3PH 82A 1200V V1-A
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 82A Chassis Mount V1-A
  
  型号：VUO80-12NO1
  仓库库存编号：VUO80-12NO1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  RECT BRIDGE 3PH 38A 1600V PWS-A
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 38A Chassis Mount PWS-A
  
  型号：VUO35-16NO7
  仓库库存编号：VUO35-16NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  DIODE BRIDGE FAST 1200V V1-A
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 50A Chassis Mount V1A-PAK
  
  型号：VUE50-12NO1
  仓库库存编号：VUE50-12NO1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 390W（Tc） SP1
  
  型号：APTM100DA33T1G
  仓库库存编号：APTM100DA33T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 390W（Tc） SP1
  
  型号：APTM100SK33T1G
  仓库库存编号：APTM100SK33T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  DIODE BRIDGE 52A 1200V PWS-D
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 52A Chassis Mount PWS-D
  
  型号：VBO52-12NO7
  仓库库存编号：VBO52-12NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  RECT BRIDGE 3PH 63A 1200V PWS-D
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 63A Chassis Mount PWS-D
  
  型号：VUO62-12NO7
  仓库库存编号：VUO62-12NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 60A TO-240AA
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 60A（Tc） 590W（Tc） TO-240AA
  
  型号：VMO60-05F
  仓库库存编号：VMO60-05F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  DIODE BRIDGE 1400V 95A ECO-PAC2
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1400V 92A Chassis Mount ECO-PAC2
  
  型号：VBO88-14NO7
  仓库库存编号：VBO88-14NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1700V 45A 210W SP1
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 45A 210W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTGT30DA170T1G
  仓库库存编号：APTGT30DA170T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1700V 45A 210W SP1
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 45A 210W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTGT30SK170T1G
  仓库库存编号：APTGT30SK170T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 59A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT58M50JCU2
  仓库库存编号：APT58M50JCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOD BRIDGE 3PHASE MTP
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 40A Chassis Mount 7-MTPA
  
  型号：VS-40MT160PAPBF
  仓库库存编号：VS-40MT160PAPBF-ND
  别名：VS40MT160PAPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  MODULE IGBT CBI E1
  详细描述：IGBT Module NPT Three Phase Inverter with Brake 600V 11A 50W Chassis Mount E1
  
  型号：MUBW10-06A6K
  仓库库存编号：MUBW10-06A6K-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  DIODE BRIDGE 45A 800V FO-T-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 45A Chassis Mount FO-T-A
  
  型号：VBO45-08NO7
  仓库库存编号：VBO45-08NO7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT33N90JCU2
  仓库库存编号：APT33N90JCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT33N90JCU3
  仓库库存编号：APT33N90JCU3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  RECT BRIDGE 3PH 82A 1400V V1-A
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1400V 82A Chassis Mount V1-A
  
  型号：VUO80-14NO1
  仓库库存编号：VUO80-14NO1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  RECT BRIDGE 3PH 54A 1800V V1-A
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1800V 54A Chassis Mount V1-A
  
  型号：VUO52-18NO1
  仓库库存编号：VUO52-18NO1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MODULE MTP SWITCH
  详细描述：IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 12A 76W Chassis Mount MTP
  
  型号：VS-GB05XP120KTPBF
  仓库库存编号：VS-GB05XP120KTPBF-ND
  别名：VSGB05XP120KTPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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