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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 20A（Tc） 520W（Tc） SP1
  
  型号：APTML100U60R020T1AG
  仓库库存编号：APTML100U60R020T1AG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Global Power Technologies Group
  IGBT MODULE 1200V 170A
  详细描述：IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 170A 650W Chassis Mount Module
  
  型号：GSID100A120S5C1
  仓库库存编号：1560-1229-ND
  别名：1560-1229
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 372A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 372A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM20SKM04G
  仓库库存编号：APTM20SKM04G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  IGBT 600V 700A 1500W PKG WB
  详细描述：IGBT Module Half Bridge 600V 700A 1500W Chassis Mount Module
  
  型号：MG06600WB-BN4MM
  仓库库存编号：F6485-ND
  别名：F6485
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Global Power Technologies Group
  IGBT MODULE 1200V 285A
  详细描述：IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 285A 1087W Chassis Mount Module
  
  型号：GSID150A120S5C1
  仓库库存编号：1560-1230-ND
  别名：1560-1230
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Tc） 48W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R800CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R800CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R800CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 4A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 6.2W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN70R1K4P7SATMA1
  仓库库存编号：IPN70R1K4P7SATMA1CT-ND
  别名：IPN70R1K4P7SATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 6.5W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN70R900P7SATMA1
  仓库库存编号：IPN70R900P7SATMA1CT-ND
  别名：IPN70R900P7SATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 7W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN60R600P7SATMA1
  仓库库存编号：IPN60R600P7SATMA1CT-ND
  别名：IPN60R600P7SATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Tc） 6.9W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN70R600P7SATMA1
  仓库库存编号：IPN70R600P7SATMA1CT-ND
  别名：IPN70R600P7SATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 7W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN60R360P7SATMA1
  仓库库存编号：IPN60R360P7SATMA1CT-ND
  别名：IPN60R360P7SATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Tc） 7.2W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN70R360P7SATMA1
  仓库库存编号：IPN70R360P7SATMA1CT-ND
  别名：IPN70R360P7SATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 34A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Tc） 59.4W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R360P7SAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R360P7SAUMA1CT-ND
  别名：IPD70R360P7SAUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO220FP
  
  型号：IPA50R520CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA50R520CPXKSA1-ND
  别名：IPA50R520CP
  IPA50R520CP-ND
  SP000236076
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 83W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R385CP
  仓库库存编号：IPL60R385CPCT-ND
  别名：IPL60R385CPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 46W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R365P7AUMA1
  仓库库存编号：IPL60R365P7AUMA1CT-ND
  别名：IPL60R365P7AUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），55A（Tc） 1.4W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
  
  型号：IRF6623
  仓库库存编号：IRF6623CT-ND
  别名：*IRF6623
  IRF6623CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），83A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB056N10NN3GXUMA1
  仓库库存编号：BSB056N10NN3GXUMA1CT-ND
  别名：BSB056N10NN3 GCT
  BSB056N10NN3 GCT-ND
  BSB056N10NN3GXUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• EPC
  TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2016C
  仓库库存编号：917-1080-1-ND
  别名：917-1080-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOD THYRISTOR SGL 1200V SOT-227B
  详细描述：SCR Module 1200V 234A Single Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
  
  型号：MCO150-12IO1
  仓库库存编号：MCO150-12IO1-ND
  别名：MCO15012IO1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 150A SOT-227B
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 150A 660W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXDN75N120
  仓库库存编号：IXDN75N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 600V 114A 658W MTP
  详细描述：IGBT Module Half Bridge 600V 114A 658W Chassis Mount MTP
  
  型号：VS-50MT060WHTAPBF
  仓库库存编号：VS-50MT060WHTAPBF-ND
  别名：VS50MT060WHTAPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  RECT BRIDGE 3PH 1800V PWS-E-1
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1800V 248A Chassis Mount PWS-E1
  
  型号：VUO190-18NO7
  仓库库存编号：VUO190-18NO7-ND
  别名：VUO19018NO7
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 145A（Tc） 3250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM100UM65SAG
  仓库库存编号：APTM100UM65SAG-ND
  别名：APTM100UM65SAGMI
  APTM100UM65SAGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 200V 372A 1250W Chassis Mount SP6
  
  型号：APTM20AM04FG
  仓库库存编号：APTM20AM04FG-ND
  别名：APTM20AM04FGMI
  APTM20AM04FGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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